對晶圓鈷淀積預(yù)處理中光阻吸附問題的研究.pdf

1、在對現(xiàn)行所有不同線寬形成鈷的工藝中,都會在鈷淀積前做氧化層的去除以保證在后續(xù)的鈷淀積能順利完成,從而形成良好的CoSi2。但是在用氫氟酸去除氧化層的同時經(jīng)常會受到外來缺陷(光阻吸附)的影響。外來缺陷(光阻吸附)的污染直接后果是造成后續(xù)的鈷淀積不上,而鈷淀積不上形不成良好的硅化鈷是引發(fā)良率損失的主要原因,良率損失達到5％～10％。因此研究解決在氧化層去除時產(chǎn)生的缺陷問題,對于提高晶圓的良率具有很高的理論和應(yīng)用價值。本文以實驗為基礎(chǔ),通過實

2、踐與理論相結(jié)合,對光阻吸附缺陷的結(jié)構(gòu)特點,形成機理,去除方法進行了深入的探討與研究。
　　 本文針對在半導(dǎo)體制造過程中對光阻吸附(Photoresistre-deposition)缺陷(Defect)的在線檢測問題提出在光學(xué)顯微鏡下判別PRre-depdefect的方法,介紹了PRre-depdefect在電子顯微鏡下結(jié)構(gòu)以及組成成分特點。設(shè)計了復(fù)制PRre-depdefect的實驗,并根據(jù)實驗結(jié)果提出在半導(dǎo)體制造過程中PRre

3、-depdefect形成的三個必要因素:a.光阻殘留物;b大劑量和高能量離子注入;c加工晶圓數(shù)量。本文對PRre-depdefect的形成機理進行了推論,提出光阻吸附原理:大量的光阻殘留物經(jīng)過產(chǎn)品帶入濕法蝕刻HF槽內(nèi),HF槽的過濾器過濾不了太大量的光阻,經(jīng)過高能量、大劑量離子注入的晶圓在進入HF槽作鈷淀積前的氧化層去除是吸附了光阻殘留物,這就形成了PRre-depdefect。
　　 本文根據(jù)實際出發(fā),提出了對晶圓鈷淀積預(yù)處理中

4、光阻吸附問題的解決方案,即在產(chǎn)品進入HF槽做氧化層去除前用旋轉(zhuǎn)濕法清洗先去除一部分缺陷,然后在氧化層去除之后增加SC1濕法清洗保證晶圓表面的清潔。本文通過掃描電子顯微鏡確認晶圓表面缺陷數(shù)量,以及通過晶圓可接受性測試和良率測試來確認了這種方法的有效性及安全性。
　　 通過本文的工作,從根本上解決了對鈷淀積前PRre-depdefect這一工藝缺陷的檢測,去除的問題,避免了晶圓鈷淀積預(yù)處理中光阻吸附問題造成的損失(每片約5％～10％