用于微晶硅鍺電池的P型摻雜層及P-I界面過(guò)渡層研究.pdf

1、在多結(jié)太陽(yáng)電池的發(fā)展中，微晶硅鍺作為窄帶隙材料具有很好的應(yīng)用前景并受到越來(lái)越多的關(guān)注。當(dāng)它作為太陽(yáng)電池的吸收層材料時(shí)，在P/I界面的SiGe/Si異質(zhì)結(jié)問(wèn)題凸顯出來(lái)。界面處的帶隙和晶格失配導(dǎo)致了載流子復(fù)合率的上升，影響了電池性能。
　　 本文應(yīng)用兩種方法解決這一問(wèn)題。第一種是使用與本征層Ge含量和晶格結(jié)構(gòu)接近的硼摻雜微晶硅鍺層；另一種是在P型微晶硅和本征層之間生長(zhǎng)過(guò)渡層。
　　 對(duì)P型μc-Si和μc-SiGe的研究發(fā)現(xiàn)

2、，兩種材料的電導(dǎo)率隨著B2H6和氫稀釋率的增長(zhǎng)都呈現(xiàn)倒U型曲線。在以GeF4為Ge源制備P型μc-SiGe時(shí)，反應(yīng)氣體中GeF4氣體流量的增加使得晶化率單調(diào)增加，但是電導(dǎo)率在其中一點(diǎn)有最高值，之后就下降了。而以GeH4為Ge源時(shí)，GeH4氣體比例增加導(dǎo)致了材料晶化率和電導(dǎo)率的少許下降。以GeH4制備的材料其Ge含量顯著偏低的現(xiàn)象可能歸因?yàn)閾诫s和Ge含量縱向分布不均勻性。
　　 生長(zhǎng)在摻雜層之上的本征μc-Si過(guò)渡層其初始晶化率與