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1、在過去的二,三十年間,隨著金屬多層膜和顆粒膜的巨磁電阻(GMR)的發(fā)現(xiàn),以研究、利用和控制電子自旋極化及其輸運過程為核心的自旋電子學(xué)得到很大的發(fā)展,同時用磁電阻材料制備自旋電子學(xué)器件也取得了驚人的進步,所有這些為后續(xù)的、更深入的信息存儲領(lǐng)域的開發(fā)與研究奠定了堅實的基礎(chǔ)。 傳統(tǒng)的Co/Cu/Co自旋閥或者Co/Cu多層膜結(jié)構(gòu)具有較大的磁電阻,但是其飽和場(或開關(guān)場)太大,影響其實際應(yīng)用,為此,我們嘗試使用納米氮化層進行界面調(diào)制或剪
2、裁,以期獲得好的磁電阻特性。我們在實驗上發(fā)現(xiàn),當(dāng)NNL在下界面(Co/Cu)摻雜時,得到了一個數(shù)值為-0.043%的反常磁電阻;當(dāng)NNL在上界面(Cu/Co)摻雜時,磁電阻近似為0;當(dāng)NNL同時在上、下界面摻雜時,也可得到的反常磁電阻(-0.005%),實驗上獲得的這些反常磁電阻數(shù)值和Rahmouni等[1]在Co/Ru/Co及其摻雜體系中發(fā)現(xiàn)的反常磁電阻數(shù)值相當(dāng)。 為了從理論上進一步證實這一結(jié)果,我們用Camley-Barnas的玻爾
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