S波段低副瓣天線的仿真研究.pdf

1、副瓣電平是天線設(shè)計中的一個重要因素。當(dāng)今，雷達(dá)面臨各種復(fù)雜的電子干擾，其中雷達(dá)天線副瓣干擾是干擾的主要形式。其實不僅是雷達(dá)，強(qiáng)地物雜波背景下工作的反積極干擾和消極干擾、無源定位、抗反輻射導(dǎo)彈等都非常需要低副瓣天線。因此，目前國內(nèi)外都在研制低副瓣天線。
　　本課題所研究的半波振子饋電的帶圓片副反射面的拋物面天線是一種尺寸小、重量輕、成本低、電性能良好的低副瓣天線。這種工作于短焦?fàn)顟B(tài)的拋物面天線不僅能在較寬的頻帶內(nèi)實現(xiàn)低副瓣，在中心頻

2、帶內(nèi)具有極低副瓣特性，并且在保持副瓣電平很低的情況下，實現(xiàn)比較高的增益。這種結(jié)構(gòu)和性能上的優(yōu)勢使該天線適用于生命探測雷達(dá)系統(tǒng)等需要的小尺寸低成本低副瓣天線的特殊場合。
　　首先，簡要介紹天線低副瓣的含義和劃分標(biāo)準(zhǔn)，分析天線低副瓣的實現(xiàn)原理。然后分別討論陣列天線和拋物面天線在實現(xiàn)低副瓣特性過程中需要解決的問題和解決途徑，并以軸對稱雙反射面天線中最為典型的卡塞格倫天線為例分析影響副瓣的各種因素及其改進(jìn)方法。
　　其次，使用面電流

3、元法分析當(dāng)主反射面為拋物面時的口面場分布情況，建立了一個拋物面低副瓣天線的電磁仿真模型，并對該天線所使用的饋源的輻射特性進(jìn)行了理論分析和電磁仿真，給出實際饋源方向性函數(shù)近似表達(dá)式并推導(dǎo)短焦拋物面的口面利用系數(shù)。
　　最后，本文著重討論焦徑比和副反射面尺寸的變化對所研究天線副瓣電平的影響。通過CST-MicrowaveStudio?仿真軟件進(jìn)行仿真和分析，對于各種影響副瓣電平因素的重要性排序，給出降低短焦拋物面副瓣電平的途徑，并依據(jù)