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1、多晶Si薄膜太陽(yáng)電池研究引起了人們的廣泛關(guān)注，而采用大晶粒多晶Si薄膜是提高其能量轉(zhuǎn)換效率的一條可行途徑。本工作采用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)和高頻感應(yīng)加熱化學(xué)氣相沉積(HFCVD)工藝，在SiO2表面上成功地制備了大晶粒多晶Si薄膜。利用a臺(tái)階儀和掃描電子顯微鏡(SEM)研究了襯底溫度、反應(yīng)氣體壓強(qiáng)和硅烷(SiH4)濃度等工藝參數(shù)對(duì)大晶粒多晶Si薄膜的生長(zhǎng)速率和晶粒尺寸的影響，獲得了制備最大晶粒薄膜的典型實(shí)驗(yàn)條件，其晶粒平均尺寸為
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