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1、該論文介紹采用電熱激勵(lì)的諧振梁壓力傳感器的設(shè)計(jì)、計(jì)算機(jī)模擬、研制及測(cè)試.提出了基于多孔硅犧牲層技術(shù)的利用LPCVD生長(zhǎng)的低應(yīng)力厚的富硅氮化硅作為諧振梁的壓力傳感器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì).為了提高靈敏度,還提出了一種半島結(jié)構(gòu).應(yīng)用有限元分析軟件,對(duì)硅梁及氮化硅梁的多種結(jié)構(gòu),進(jìn)行了計(jì)算機(jī)模擬,分析了熱激勵(lì)諧振器的特性以及壓力敏感特性.芯片利用半導(dǎo)體IC工藝和MEMS工藝制作,采用一種減小封裝應(yīng)力的結(jié)構(gòu),完成壓力傳感器的真空密封及封裝.利用鎖相環(huán)微弱信號(hào)檢
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