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1、半導(dǎo)體一維納米材料由于存在著顯著的量子效應(yīng)、尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)、特殊的電子傳導(dǎo)效應(yīng)等，因此它們的制備及物理和化學(xué)性質(zhì)引起了人們的廣泛關(guān)注。ZnO是一種寬帶隙的半導(dǎo)體材料，室溫下禁帶寬度為3.37eV，激子束縛能高達(dá)60meV，具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性質(zhì)。因此一維ZnO納米材料的研究成為目前半導(dǎo)體一維納米材料研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。本文主要圍繞本文針對(duì)ZnO研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)問(wèn)題，利用水熱技術(shù)進(jìn)行了ZnO一維納米結(jié)構(gòu)的制備，p型ZnO一維納米結(jié)構(gòu)摻雜，
2、并在此基礎(chǔ)上進(jìn)行了ZnO同質(zhì)結(jié)的制備及光電性質(zhì)研究。具體研究?jī)?nèi)容如下：(1)利用水熱技術(shù)制備了高質(zhì)量ZnO一維納米結(jié)構(gòu)，并通過(guò)SEM，XRD對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征，通過(guò)PL測(cè)試表明其具有良好的光學(xué)性質(zhì)。(2)首次利用水熱技術(shù)及后退火工藝制備P摻雜p型ZnO一維納米結(jié)構(gòu)。測(cè)試結(jié)果表明磷進(jìn)入ZnO晶格后以PZn-2VZn的復(fù)合受主形式存在，并在低溫PL譜中觀測(cè)到了來(lái)自于受主(PZn-2VZn)的FA(3.316eV)及DAP(3.241eV)發(fā)光
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