基于CPLD的1kW-1MHz PSM功率控制高頻感應(yīng)加熱電源的研究.pdf

1、頻率在1MHz以上的高頻感應(yīng)加熱電源，在晶體生長(zhǎng)、超細(xì)型金屬絲或超薄型鋼帶的熱處理、化工合成、封蓋等領(lǐng)域有著很大的需求量。國(guó)內(nèi)正在使用的真空電子管式高頻感應(yīng)加熱電源，存在諸如可靠性差、電子管使用壽命短、操作不安全、變換效率低等問(wèn)題。由于工作頻率非常高(1MHz)，現(xiàn)有技術(shù)成熟的全固態(tài)感應(yīng)加熱電源幾乎無(wú)法滿(mǎn)足要求，而國(guó)外在感應(yīng)加熱高頻應(yīng)用方面是非常先進(jìn)的。本課題正是基于現(xiàn)實(shí)工業(yè)應(yīng)用的需要和縮小與發(fā)達(dá)國(guó)家在這一領(lǐng)域的差距的愿望，研究高頻(1

2、MHz)情況下采用功率MOSFET為主開(kāi)關(guān)器件的串聯(lián)諧振型高頻感應(yīng)加熱電源。 本文主要研究高頻功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路、頻率跟蹤控制電路、基于CPLD的脈沖均勻調(diào)制(PSM)功率控制電路。首先簡(jiǎn)要對(duì)比分析了整流單元、逆變電路和功率控制部分的多種方案，分別選擇了不控整流、串聯(lián)諧振逆變器和脈沖均勻調(diào)制(PSM)功率控制方案，對(duì)主電路進(jìn)行了器件選型和參數(shù)設(shè)計(jì)；在對(duì)比分析多種高速驅(qū)動(dòng)方案的基礎(chǔ)上，選擇并設(shè)計(jì)了基于IR2110的驅(qū)動(dòng)電路。