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1、S546S5梗旦大學(xué)碩士學(xué)位論文(專業(yè)學(xué)位)學(xué)校代碼i】0246學(xué)號(hào):043021158金屬硅化物遮蔽層應(yīng)用深紫外曝光的技術(shù)實(shí)現(xiàn)院系(所):信息科學(xué)弓工程學(xué)院專姓業(yè):電子與通信工程名:侯大維指導(dǎo)教師:於偉峰剮教授完成日期:2006年5月21臼Abstract:ThepaperdescribeSalicideBlock(SAB)processeffectinadvancesemiconductorprocessOnthetechnolog
2、yof018umnodeorbelow018umnode,theSABprocesswindowareminorornottheoptimizeconditionduetorelatedprocessmachine1imitInthiS,wewilldiSCUSStheSABprocessloop1imitiSsueoncurrentprocessflowandhowtosolveitandimprovetheSABloopproces
3、swindowTheprocessflowmodificationistheleastchangingonitafterthediscussionofthefeasibilityEitherthesideeffectfromtheflowchangingorthechangingpossibilityformassproductwillbethemostefficientandeasiestThereare]otsofexperimen
4、tsincludingfullloopprocessproductionexperimentThemodificationmethodiSfeasibleaftertheproofofthetheoryandexperimentsItcanbeappliedonmassproductiondirectlywithhighvalueontheproductionKeyWords:CVD(ChemicalVaporDeposition),C
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