Ti-,2-SnC的合成及其晶粒定向生長的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、Ti<,2>SnC是一種新型陶瓷材料,具有較高的電導率、良好的可加工性、自潤滑性和耐腐蝕等優(yōu)良性能,已成為國內外研究的熱點。 本論文的主要研究內容包括:①通過改變初始配料的組分及比例,確定關鍵工藝參數,實現常壓合成高純度。Ti<,2>SnC粉體;②采用機械活化低溫合成技術,實現低溫下合成Ti<,2>SnC。③選用合適的生長模板,控制Ti<,2>SnC晶粒的定向生長,制備具有織構化的Ti<,2>SnC陶瓷。 研究結果表明,

2、當Ti/Sn/C以2∶1∶1摩爾比配料,真空氣氛下,在1200℃保溫1h后,常壓合成了高純度Ti<,2>SnC粉體;當采用Ti/Sn/TiC按摩爾比1∶0.8∶0.9配料時,住1200℃,真空氣氛下,儀保溫15min,常壓合成了高純度Ti<,2>SnC粉休。 利用X-射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、能譜分析(EDS)、差熱分析(DSC)等技術,對Ti<,2>SnC粉體的特征、形成機制進行了系統分析,并對Ti<,2>SnC

3、的熱穩(wěn)定性進行了研究,確定了Ti<,2>SnC在真空條件下的分解溫度為1250℃,分解產物為Sn和TiC。 利用機械活化低溫合成技術,實現了低溫合成Ti<,2>SnC。高能球磨1h后的Ti/Sn/C超細粉,真空或Ar氣氛下,在650℃,保溫1 h,常壓合成了Ti<,2>SnC。使Ti<,2>SnC的合成溫度與報道的溫度相比降低了600℃左右。此外,還深入研究了C顆粒尺寸在反應系統中對Ti<,2>SnC的形成影響。 利用C

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