高頻等離子制備納米微粒反應(yīng)器的分析.pdf

1、高頻等離子體技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于納米材料的制備，但是有關(guān)高頻等離子體反應(yīng)器分析的研究論文較少。本文基于化學(xué)反應(yīng)工程的基本理論，研究了高頻等離子氣相沉積法制備納米粉體材料的過程，建立了二維穩(wěn)態(tài)環(huán)狀高頻等離子體反應(yīng)器的普遍化模型，考慮了Greatz問題。對(duì)于求解該類模型使用了Crank-Nicholson有限差分法，并且編制了求解該類二維偏微分方程組的普遍化的程序?；谠摲椒?，本文給出了高頻等離子反應(yīng)器中的溫度、轉(zhuǎn)化率和過飽和度分布的數(shù)值解；

2、并詳細(xì)的討論了傳質(zhì)Peclet、傳熱Peclet、輻射玻爾茲曼數(shù)Boltzmann等無因次準(zhǔn)數(shù)對(duì)高頻等離子反應(yīng)器的溫度、轉(zhuǎn)化率及過飽和度的影響；進(jìn)一步探討了等離子炬輻射傳熱、軸向?qū)α骱蛷较蚍祷鞂?duì)溫度、轉(zhuǎn)化率和凝聚態(tài)物理參數(shù)過飽和度的影響；從而為定量分析高頻等離子反應(yīng)器中傳熱、傳質(zhì)對(duì)納米材料成核和生長(zhǎng)過程的影響，為理解和設(shè)計(jì)高頻等離子反應(yīng)器提供理論依據(jù)。 HF-PCVD法反應(yīng)過程快速、連續(xù)，易于實(shí)現(xiàn)高純?chǔ)?Al<,2>O<,3>納

3、米粉的批量制備。采用高頻等離子化學(xué)氣相沉積法(HF-PCVD)，以射頻感應(yīng)Ar等離子體為熱源、AICl<,3>和O<,2>為反應(yīng)體系，制備了高純、分散性良好的球形γ-Al<,2>O<,3>納米微晶。XRD和TEM測(cè)定表明：所制γ-Al<,2>O<,3>粉末晶化較好，顆粒呈球形、粒徑范圍為20～50nm。文中還討論了制備條件對(duì)γ-Al<,2>O<,3>納米微粒平均粒徑及粒徑分布的影響。在實(shí)驗(yàn)中，保持其他條件不變，改變AlCl<,3>的進(jìn)料