硒化鎘（CdSe）半導體納米晶制備方法評述.pdf

1、半導體納米晶(又稱為量子點)由于具有獨特的量子尺寸限域、量子遂穿、庫侖阻塞等物理效應，因而在光電儀器，例如激光、發(fā)光二級管、非線性光學材料以及生物熒光標記等方面具有廣闊的應用前景，半導體納米材料／器件是目前業(yè)界研發(fā)的熱點之一。CdSe是Ⅱ-Ⅵ族半導體中研究最多的材料之一，由于其發(fā)射波長隨納米晶的尺寸而改變，其發(fā)射波長可以覆蓋從綠到紅的很大光譜范圍，因此CdSe納米晶可以應用在生物標記和熒光顯示等領域。CdSe納米晶的制備方法有很多，但如

2、何利用一種比較簡單的方法制備粒徑不同的納米晶，使其具有不同的發(fā)射波長一直是化學工作者努力的方向。據(jù)報道，美國貝爾實驗室已經(jīng)通過控制CdSe納米晶的尺寸，得到可在紅、綠、藍光之間變化的可調(diào)協(xié)發(fā)光二極管，實現(xiàn)了量子效應原理性器件的初步研制。隨著研究的不斷深入，CdSe納米晶制備方法不斷完善，可以很好地控制納米晶的粒徑，粒徑的分布以及形狀，除了最初的納米顆粒外，還出現(xiàn)了納米線、納米棒、納米帶、納米鋸、納米管、納米核殼型雙殼層體及各種形狀的納米