2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、本工作采用低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）技術(shù)，在Si（或石英）表面上經(jīng)原位摻雜和后熱擴(kuò)散生長(zhǎng)了B摻雜納米多晶Si薄膜。利用a-臺(tái)階儀測(cè)量了多晶Si薄膜的厚度，實(shí)驗(yàn)研究了SiH4流量、B2H6流量、襯底溫度、氣體壓強(qiáng)和生長(zhǎng)時(shí)間對(duì)多晶Si薄膜生長(zhǎng)速率的影響，定性地討論了B摻雜納米多晶Si薄膜的沉積機(jī)理。利用掃描電子顯微鏡（SEM）、原子力顯微鏡（AFM）和拉曼光譜（Raman）等多種技術(shù)手段，對(duì)熱退火前后薄膜的結(jié)構(gòu)特征進(jìn)行了表征分析。通過(guò)優(yōu)

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