2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、氧化鋅是一種具有優(yōu)異壓電和光電特性的直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體材料。同時氧化鋅材料多變的形態(tài)結(jié)構(gòu)直接決定其物理性質(zhì)及應(yīng)用潛力。因此,研究各種氧化鋅微/納米材料的晶體結(jié)構(gòu)及生長行為,對探討其產(chǎn)生獨特性能的原因,設(shè)計新型功能材料,以及進一步拓展氧化鋅材料的應(yīng)用領(lǐng)域都有重要意義。 本論文通過氣相沉積方法合成了多種結(jié)構(gòu)的氧化鋅微/納米材料,并對其形態(tài)結(jié)構(gòu)、生長機制和物化性能進行了系統(tǒng)的表征。研究中不僅探討了氧化鋅晶體的熱力學(xué)條件控制的生長過程

2、;還通過對一些氧化鋅合成參數(shù)的控制如蒸發(fā)溫度、沉積溫度、原料、催化劑或誘導(dǎo)劑、襯底、工作氣及蒸發(fā)時間,討論了氧化鋅各晶面的生長速度變化對氧化鋅生長行為的影響。研究發(fā)現(xiàn),極性面族{0001},及低表面能的非極性晶面族{2-1-10}與{01-10}是其最常見的顯露晶面。這些給定條件下各生長晶面之間相對活性的變化,最終導(dǎo)致了不同形態(tài)氧化鋅微/納米材料的形成。 在鋅粉氧化蒸發(fā)合成過程中,隨著氧分壓的逐漸增大,所生長的氧化鋅形態(tài)依次為氧

3、化鋅空心材料、納米線/棒及多‘臂’納米材料:(1)在氧分壓低于 0.1%的環(huán)境中實現(xiàn)了空心材料的生長。在鋅粉原位的氧化蒸發(fā)過程中,通過對氧濃度、溫度及載氣流量的調(diào)節(jié),實現(xiàn)了氧化鋅籠、空心球及氧化鋅納米棒與空心球組裝體的控制生長。在氣相傳輸沉積過程中,首先合成Zn/ZnO納米電纜,再經(jīng)過Zn/ZnO納米電纜中 Zn 核的蒸發(fā)過程,最終得到了高純的 ZnO 納米管。研究發(fā)現(xiàn),空心球的形態(tài)決定其光致發(fā)光性質(zhì);納米管的生長方向是比較多變的。(2

4、)當(dāng)氧分壓介于1~4%時,易于生長氧化鋅納米線/棒及其陣列材料。利用氟樹脂熱解過程調(diào)節(jié)氧化鋅納米棒陣列的形態(tài),成功地合成了六方棒狀、針狀、釘子狀、傘狀及微米管狀氧化鋅陣列。分析結(jié)果表明,這些具有不同形態(tài)的氧化鋅陣列材料的生長方向均為[0001],而且這些形態(tài)的變化直接導(dǎo)致其光致發(fā)光性質(zhì)的不同。(3)在氧分壓大于4%的環(huán)境中非常適宜多‘臂’氧化鋅納米材料的生長;當(dāng)氧分壓大于8%后,批量地合成了高純四‘臂’氧化鋅(T-ZnO)材料。并利用有

5、機物或其它材料的誘導(dǎo)作用對材料的形態(tài)結(jié)構(gòu)進行調(diào)節(jié),最終生成了多種形態(tài)的多‘臂’氧化鋅納米材料。研究證明,多‘臂’氧化鋅納米材料遵守先成核后延伸的生長過程,且‘臂’的延伸方向均為[0002]。在均勻成核過程中 T-ZnO 遵守經(jīng)典的 Zn-blende核生長規(guī)則:而在非均勻成核體系中,這種晶核拓撲規(guī)則被打破,最終形成多種不同的多‘臂’ZnO 納米結(jié)構(gòu)。 在碳熱還原過程中,利用氧分壓和催化劑的調(diào)節(jié),實現(xiàn)了氧化鋅納米管、納米帶及納米棒

6、的生長:(1) 在均勻成核的環(huán)境中,主要生長Zn/ZnO納米電纜,再經(jīng)過Zn/ZnO納米電纜中 Zn 核的蒸發(fā)過程,最終大量合成了 ZnO 納米管。(2) 在氧分壓約1~2%的環(huán)境中,分別通過氣固(VS)與氣液固(VLS)生長機制,合成了氧化鋅納米棒/線及其陣列材料。氧化鋅納米線/棒的生長方向在VS過程中為[0002],在VLS過程中比較多變。(3)在催化劑的作用下,直接合成了高純氧化鋅納米帶。主要考察了一些金屬氧化物及金屬有機鹽的催化

7、選擇性,如 CuO、SnO<,2>、FeAc<,2>、CoAc<,2>、ZnAc<,2>、NiAc<,2>、ZnC<,2>O<,4>及 CuC<,2>O<,4>。并用金屬氧化物納米顆粒與有機鹽作為催化劑,實現(xiàn)了氧化鋅納米帶的定向生長。研究發(fā)現(xiàn),在高溫沉積時催化劑顆粒出現(xiàn)在納米帶的頂部,納米帶的生長方向受催化劑晶格匹配的影響。在低溫沉積時催化劑則出現(xiàn)在底部,其生長方向為[0001]。研究中還利用催化劑或誘導(dǎo)劑的作用合成了梳子狀氧化鋅材料,

8、并實現(xiàn)了定向生長;研究發(fā)現(xiàn),其生長方向在低溫沉積時比較多變,在高溫沉積時其生長方向僅為<10-10>或<2-1-10>。最后,在碳熱還原過程中討論了氧化鋅與炭布、碳納米管(CINTs)及銅納米棒陣列復(fù)合材料的生長行為。研究發(fā)現(xiàn),大尺寸炭材料易于與氧化鋅納米材料形成復(fù)合物。然而,直接在納米碳材料表面生長氧化鋅納米線則必須有催化劑的誘導(dǎo),而且隨沉積溫度的升高氧化鋅的形態(tài)由線到棒最后形成顆粒。同樣,氧化鋅納米材料與 Cu 納米棒異質(zhì)結(jié)構(gòu)陣列的

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