Flash存儲(chǔ)器中電荷泵的研究.pdf

1、隨著90nmCMOS工藝的不斷成熟和完善，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(閃存)產(chǎn)品的工作電壓、工作功耗和生產(chǎn)成本也隨之快速降低。上世紀(jì)70年代末提出的基于集成電路的電荷泵電路模型已不能滿(mǎn)足實(shí)際器件操作時(shí)較低輸入電壓的要求，由此對(duì)電荷泵電路的研發(fā)設(shè)計(jì)提出了更高的要求。本文的撰寫(xiě)圍繞著電荷泵電路性能的改進(jìn)展開(kāi)了深入地探討。 論文對(duì)現(xiàn)有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中電荷泵電路進(jìn)行了系統(tǒng)的闡述，在具體分析若干典型電路的基礎(chǔ)上，同時(shí)結(jié)合自己的理解和在實(shí)際工作中的經(jīng)驗(yàn)和體

2、會(huì)，針對(duì)現(xiàn)有電路的不足之處提出了改進(jìn)型電路模型，并闡述了該模型的優(yōu)點(diǎn)，從而對(duì)促進(jìn)電荷泵電路在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中的應(yīng)用和進(jìn)一步實(shí)用化作出了相應(yīng)的貢獻(xiàn)。 論文的創(chuàng)新點(diǎn)主要集中于以下三部分： ·針對(duì)文獻(xiàn)[2]中輸出電壓和級(jí)數(shù)成非線性關(guān)系的缺陷作出了分析，提出了相應(yīng)的解決方案； ·首次給出了電荷泵電路初始化的新型結(jié)構(gòu)，以此保證電路的正常開(kāi)啟，并實(shí)現(xiàn)加快輸出電壓上升速度的功能； ·從電荷泵電路基本模型的理論出發(fā)，結(jié)合半