對(duì)純硅芯光纖特性的分析.pdf

1、在未來(lái)超長(zhǎng)距離的光纖傳輸系統(tǒng)中，具有低衰減、高穩(wěn)定性的單模光纖是必不可少的。本文所討論的純硅芯單模光纖就具有上面的特點(diǎn)。對(duì)于傳統(tǒng)石英系光纖，由于芯層中摻入GeO2等金屬氧化物而使瑞利散射損耗增加；同時(shí)，氧化物的摻入破壞了光纖在氫元素和γ-射線輻射環(huán)境中的化學(xué)穩(wěn)定性。純硅芯單模光纖由于在芯層中沒(méi)有摻雜，因此具有很好的化學(xué)穩(wěn)定性。由理論和實(shí)驗(yàn)表明，光纖中的損耗主要來(lái)自于光纖材料的瑞利敞射損耗和吸收損耗兩個(gè)部分。其中吸收損耗由紫外吸收、紅外吸

2、收和氫氧根離子吸收損耗構(gòu)成。瑞利敞射損耗是由光纖材料中不可避免的隨機(jī)密度或濃度波動(dòng)引起的。在光纖的制造工藝中存在著許多引入損耗的因素。通過(guò)對(duì)多種制造的比較，以及對(duì)純硅芯單模光纖其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)的分析，總結(jié)了適用于純硅芯光纖的制造工藝。在前面理論分析的基礎(chǔ)上，分析了純硅芯光纖的瑞利散射損耗特性，得到了光纖結(jié)構(gòu)參數(shù)芯徑和相對(duì)折射率差與瑞利散射損耗的關(guān)系。分析表明，單模光纖的瑞利散射損耗與功率限制因子密切相關(guān)，在純硅芯單模光纖中的瑞利散射損耗主要由