老煉對(duì)PDP放電性能及MgO介質(zhì)保護(hù)層的影響.pdf

1、等離子體顯示器在信息顯示領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景及市場(chǎng)，開(kāi)展彩色PDP關(guān)鍵技術(shù)的研究對(duì)于提高PDP性能有著重要意義。在PDP制造過(guò)程中，老煉過(guò)程是介于顯示屏加工完成和實(shí)現(xiàn)顯示之間的一項(xiàng)非常重要的工序步驟。老煉能使PDP的各種放電特性穩(wěn)定，并且易于驅(qū)動(dòng)。而PDP中的MgO介質(zhì)保護(hù)膜，由于直接和放電氣體接觸，對(duì)PDP的放電特性、顯示效果和壽命等性能有重要的影響。因此，研究老煉對(duì)PDP的放電性能和MgO介質(zhì)保護(hù)層的影響，對(duì)于提高PDP性能，降低

2、PDP的成本和功耗，具有較大的實(shí)用價(jià)值。 本文首先建立了蔭罩式PDP（SMPDP）實(shí)驗(yàn)屏的老煉系統(tǒng)和初步的老煉實(shí)驗(yàn)規(guī)范，研究了老煉過(guò)程對(duì)蔭罩式PDP實(shí)驗(yàn)屏放電性能的影響。主要分析了SMPDP實(shí)驗(yàn)屏的靜態(tài)放電電壓特性、發(fā)光亮度、發(fā)光光譜和紅外放電在老煉前后的變化。 本文還介紹了MgO介質(zhì)保護(hù)層的制備工藝和其在PDP中的性能。經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期研究總結(jié)，初步建立了MgO介質(zhì)保護(hù)層的評(píng)價(jià)體系并介紹了各項(xiàng)性能的測(cè)試方法。 本文最后

3、通過(guò)X射線衍射分析（XRD）和場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（FESEM）分析了SMPDP實(shí)驗(yàn)屏中MgO介質(zhì)保護(hù)層在老煉后的薄膜晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌的變化。為了更方便深入研究MgO介質(zhì)保護(hù)層的表面晶向在老煉后的變化，設(shè)計(jì)制作了一種大面積放電老煉實(shí)驗(yàn)屏，對(duì)其老煉前后的MgO介質(zhì)保護(hù)層進(jìn)行了掠入射X射線衍射（GIXD）分析和低壓場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡觀測(cè)。總結(jié)了老煉前后MgO薄膜的表面晶向變化和表面形貌的變化。同時(shí)通過(guò)大面積放電的實(shí)驗(yàn)，觀察到類似自組織放