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文檔簡介
1、本文采用固態(tài)反應(yīng)法成功制備了過渡金屬氧化物CuO和NiO的混合物Cu1-xNixO靶材,并首次使用脈沖等離子體沉積方法(Pulsed Plasma Deposition,PPD)在普通玻璃襯底上制備了相應(yīng)的Cu1-xNixO1+δ薄膜。對制備的靶材與薄膜,分別用Seebeck系數(shù)、表面輪廓儀、可見光分光光度計(jì)等設(shè)備方法測試其電學(xué)和光學(xué)性能,利用XRD、AFM、SEM等手段分析其結(jié)構(gòu)和表面形貌。在分析測試的基礎(chǔ)上完成了靶材成分優(yōu)化設(shè)計(jì),P
2、PD工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)和退火處理對薄膜性能影響等方面的研究工作。
采用固相反應(yīng)法制備的一系列Cu1-xNixO靶材在室溫下均為p型導(dǎo)電。XRD結(jié)果顯示Cu1-xNixO靶材具有CuO和NiO的混合相。Cu1-xNixO靶材的電阻率隨x的增大先減小后增大,在x>0.9后又減小。靶材成分優(yōu)化結(jié)果表明Cu0.95Ni0.05O靶材的電阻率最小,為256Ωcm。
使用Cu0.95Ni0.05O靶材制備p型摻鎳氧化銅TO
3、S薄膜。研究發(fā)現(xiàn)氧氣壓強(qiáng)在2.6 pa~3.4 Pa范圍內(nèi)變化時薄膜電導(dǎo)率先增加后下降,提高工作電壓有利于提高薄膜電導(dǎo)率,而變化工作電流對薄膜電導(dǎo)率影響不大。退火處理后薄膜的可見光平均透射率從65%提高到74%。在基板溫度30℃、氧氣壓強(qiáng)3.0 Pa、工作電壓-18 kV、工作電流4.5 mA、燒蝕時間20 min條件下制備的薄膜電導(dǎo)率最高,達(dá)到7.1 Scm-1,可見光透射率約為65%。
使用Ni0.9CU0.1O靶材制
4、備p型摻銅氧化鎳TOS薄膜。研究發(fā)現(xiàn)氧氣壓強(qiáng)在2.6 Pa~3.4 Pa范圍內(nèi)變化時薄膜電導(dǎo)率隨氧氣壓強(qiáng)增加而增大。退火處理后薄膜的可見光平均透射率從71%提高到85%。在基板溫度30℃、氧氣壓強(qiáng)3.4 Pa、工作電壓-18 kV、工作電流4.5 mA、燒蝕時間20 min條件下制備的Ni0.9Cu0.1O1+δ薄膜電導(dǎo)率最高,達(dá)到1.4 Scm-1,可見光透射率約為71%。
研究結(jié)果表明,Cu1-xNixO(0≤x≤1)
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