模擬腦電節(jié)律的弱磁場對記憶的影響及其機(jī)理研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、磁刺激技術(shù)已成功地用于短時(shí)記憶獲得和鞏固過程的研究,但還沒有用于長時(shí)空間記憶保持和再現(xiàn)過程研究的報(bào)道.根據(jù)該課題組多年來的研究基礎(chǔ)及目前磁刺激對學(xué)習(xí)記憶能力影響研究的狀況,該文首次利用不同腦電節(jié)律及不同節(jié)律變化的弱脈沖磁場作用于動(dòng)物,研究這些磁場對動(dòng)物長時(shí)空間記憶保持和記憶再現(xiàn)能力的影響,通過神經(jīng)生化和生理學(xué)方法揭示弱磁場對動(dòng)物記憶能力影響的作用機(jī)理,并用理論模型進(jìn)行科學(xué)合理的解釋.通過動(dòng)物記憶行為訓(xùn)練及測試,該文得到如下結(jié)論:一定時(shí)間

2、(>10min)的模擬腦電節(jié)律的弱磁場刺激大多降低大鼠記憶能力(P<0.05),但特殊節(jié)律的弱脈沖磁場作用可能會(huì)提高記憶能力;模擬腦電節(jié)律變化的弱磁場刺激對大鼠記憶能力的影響可持續(xù)幾小時(shí),但隨著時(shí)間的延長(約15h)磁場影響消失;弱脈沖磁場對大鼠記憶的影響因其記憶內(nèi)容而異,記憶深刻的事情不受影響.我們對弱磁場影響動(dòng)物記憶能力的作用機(jī)理進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究:模擬腦電節(jié)律變化的弱磁場作用能夠改變大鼠腦內(nèi)神經(jīng)遞質(zhì)的釋放,如大鼠海馬去甲腎上腺素NE、

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