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1、紅外探測(cè)技術(shù)已在軍事中廣泛應(yīng)用,如何有效避免暴露重要目標(biāo)紅外特征,減少損失,已成為一個(gè)亟需解決的問題。因此,紅外隱真材料的研發(fā)正引起科學(xué)家極大的重視。光子晶體(Photonic Crystal)因光譜特性會(huì)隨結(jié)構(gòu)改變而相應(yīng)發(fā)生變化,在信息處理、光學(xué)器件、熱光伏系統(tǒng)等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。而利用光子晶體的特性實(shí)現(xiàn)大氣窗口紅外輻射的抑制則是一個(gè)新穎的研究領(lǐng)域。
在利用光子晶體材料抑制大氣窗口波段(3~5μm與8~14μm)發(fā)射
2、輻射的初步研究中,建立了一維光子晶體模型,利用傳輸矩陣法分析了多種基底材料和光子晶體材料組合及其自發(fā)輻射對(duì)抑制效果的影響。結(jié)果表明,當(dāng)光子晶體的高低折射率介質(zhì)分別為Si與KCL,在3~5μm與8~14μm內(nèi),基底分別為處于100℃的AL、SiC及假想表面(發(fā)射率為1的表面)時(shí),表面的發(fā)射輻射均得到較好的抑制。對(duì)于相同基底,如果光子晶體組成材料的高低折射率比值越大(如選擇Ge與KCL),抑制效果越好。
其次,在不考慮3~5μ
3、m波段發(fā)射輻射的情況下,采用傳輸矩陣法分析了光子晶體對(duì)8~14μm波段發(fā)射輻射的抑制作用。依據(jù)材料的光學(xué)特性,選擇了Ge與ZnS作為光子晶體的組成材料。對(duì)光子晶體的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化,Ge與ZnS的優(yōu)化厚度分別為0.63mm和1.11mm,光學(xué)厚度比為1:1,周期數(shù)為8。利用真空蒸發(fā)鍍膜法制備了光子晶體,并測(cè)定了制得光子晶體的光學(xué)性質(zhì),從理論與實(shí)驗(yàn)兩個(gè)角度驗(yàn)證了光子晶體對(duì)大氣窗口發(fā)射輻射的抑制作用。
然后,針對(duì)光子晶體材料對(duì)大
4、氣窗口發(fā)射輻射的抑制作用進(jìn)行進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)研究,從側(cè)面論證模型的正確性,并探索在不同溫度情況下的實(shí)際抑制效果。采用真空熱蒸鍍的方法,在不同材料上制備了多周期的Ge/ZnS光子晶體。通過對(duì)底部加熱,并采用紅外熱像儀分別拍攝有無光子晶體覆蓋的材料的熱圖,對(duì)比熱圖來充分展示出該種周期結(jié)構(gòu)材料具有抑制物體表面發(fā)射輻射的特性。結(jié)果表明,只要能保證基底表面的平整度,就可以通過熱圖充分展示出光子晶體的禁帶特性,當(dāng)實(shí)測(cè)溫度為100℃時(shí),五組實(shí)驗(yàn)中紅外熱像
5、儀的顯示溫度最低可達(dá)26.5℃。
接下來,采用有限時(shí)域差分法對(duì)Ge/NaF光子晶體的光譜特性進(jìn)行了設(shè)計(jì)。由該結(jié)構(gòu)的反射/透射譜發(fā)現(xiàn),周期數(shù)為7的光子晶體在8~14mm內(nèi)的反射率可達(dá)0.99,能較好地抑制大氣窗口發(fā)射輻射。為實(shí)現(xiàn)大氣窗口特定波長(zhǎng)(如10.6mm)處的光譜透射峰,探索了引入第三種介質(zhì)或改變?cè)心雍穸鹊姆绞絹硇纬山Y(jié)構(gòu)缺陷,從而實(shí)現(xiàn)低反射的方法。發(fā)現(xiàn)引入第三種紅外透明介質(zhì)形成缺陷的方式無法在特定波長(zhǎng)處形成透射峰,
6、而改變?cè)心雍穸刃纬扇毕莸姆绞娇稍谔囟úㄩL(zhǎng)處實(shí)現(xiàn)透射峰,如10.6mm處透射率高達(dá)0.938。
最后,建立了采用一維MgF2/ZnS型光子晶體濾波器的硅電池TPV系統(tǒng)的熱物理模型。針對(duì)高溫輻射器的輻射能量分布與Si電池的響應(yīng)帶隙失配的情況,設(shè)計(jì)了一種基本結(jié)構(gòu)為|L/2HL/2|5的一維光子晶體濾波器,并通過主禁帶中心波長(zhǎng)平移的方式得到了改進(jìn)型濾波器。當(dāng)黑體輻射器的溫度為1800K時(shí),采用主禁帶中心波長(zhǎng)為1.69μm的濾波
7、器的TPV系統(tǒng)的電池輸出功率密度與水冷功率密度分別為1.57和36.30Wcm-2,相對(duì)采用主禁帶中心波長(zhǎng)為1.39μm的濾波器的TPV系統(tǒng),分別提高了8.3%和降低了10.4%。并針對(duì)水冷功率密度較大的問題,在主禁帶中心波長(zhǎng)為1.69μm的濾波器基礎(chǔ)上,提出了依次將多套不同主禁帶中心波長(zhǎng)的濾波器組合的方案(結(jié)構(gòu)為|L/2HL/2|s|L/2HL/2|s1…|L/2HL/2|sn),使其主禁帶首尾相接形成較寬的反射帶,在適當(dāng)犧牲電池輸出
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