2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、在硅襯底上生長(zhǎng)GaN取得了極大進(jìn)展的基礎(chǔ)上，本文創(chuàng)新性地提出了一種制各自支撐GaN襯底的新方法，即首先利用MOCVD，通過(guò)插入層和緩沖層技術(shù)在硅襯底上生長(zhǎng)2 μm的無(wú)微裂GaN薄膜：然后通過(guò)化學(xué)腐蝕的方法去除硅襯底，得到應(yīng)力釋放的GaN薄膜；最后在此薄膜上利用HVPE生長(zhǎng)20-100 μm的厚GaN薄膜，形成自支撐GaN襯底。 設(shè)計(jì)和加工了一套剝離GaN薄膜的夾具，并對(duì)2 μm厚的GaN薄膜成功的剝離，尺寸為10×10mm。利用

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