外腔鎖相寬條半導體激光器列陣側(cè)模耦合系數(shù)分析.pdf

1、半導體激光器列陣(LDA)具有體積小、重量輕、成本低、光電轉(zhuǎn)化效率高、輸出功率大、使用壽命長等諸多優(yōu)點，目前已經(jīng)在工業(yè)、醫(yī)學和科學等領(lǐng)域得到了廣泛的應用。但是由于輸出光束質(zhì)量較差，LDA的應用范圍被大大限制。利用外腔鏡耦合實現(xiàn)LDA的空間鎖相可以在很大程度上改善LDA的輸出光束質(zhì)量，尤其適用于寬發(fā)光區(qū)的高功率LDA。這一技術(shù)具有良好的應用前景。 人們曾以基模高斯光束為模型，對LDA各單元間的基側(cè)模耦合系數(shù)進行了一定的分析。但是隨

2、著發(fā)光單元間距和單元發(fā)光區(qū)的增大，寬條高功率LDA的出射光在側(cè)向上僅僅用基側(cè)模來描述是不夠的，它還可能包括高階側(cè)模。 在本文中，我們針對寬條高功率LDA各發(fā)光單元間的基側(cè)模耦合系數(shù)以及高階側(cè)模耦合系數(shù)進行了具體的計算和細致的分析，結(jié)果表明：外腔鎖相LDA的各階側(cè)模各級耦合系數(shù)隨著外腔長度的變化規(guī)律基本相似，只是其極值的大小和位置不同。對于同階側(cè)模的各級耦合系數(shù)，其極值隨著耦合系數(shù)級次的增大而減小，極值所對應的腔長隨著耦合系數(shù)級次