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文檔簡介
1、深亞微米設(shè)計帶來了大量的挑戰(zhàn)，當(dāng)涉及到信號完整性時，高速的數(shù)字信號不能簡單的用邏輯的0和1來表征，需要使用模擬量來描述，而晶體管級模型的仿真速度是進(jìn)行系統(tǒng)級高速仿真的瓶頸。 本文描述了一種對數(shù)字電路輸入輸出端口電路進(jìn)行建模的標(biāo)準(zhǔn)，IBIS。它可以替代晶體管級的模型進(jìn)行電路仿真和信號完整性分析。文章首先對工作頻率在1GB的DDR-SDRAM的數(shù)據(jù)輸出端口建立IBIS模型，并通過特征點比較，差值比較的方法，對模型進(jìn)行了驗證。在此基礎(chǔ)
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