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文檔簡介
1、由于目前正面臨能源危機，研究和開發(fā)光電材料具有很大的潛在價值，TiO2薄膜因其具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率成為光電材料的研究熱點。 單一TiO2薄膜的光電性能不是很理想，過氧多鎢酸鹽有著獨特的結(jié)構(gòu)，雖然它的吸收峰位于紫外光區(qū)，但其尾部的譜帶可延伸到350～400nm，另外，過氧多鎢酸鹽與TiO2半導體之間有著很多相似性，通過過氧多鎢酸鹽粒子的表面改性和它本身特性可以使TiO2薄膜電極具有更好的光吸收性、穩(wěn)定性及光電性能。 本論
2、文采用溶膠一凝膠法在ITO基底上制備了晶粒、尺寸大小分布合適，具有大比表面，良好透光率的TiO2多孔膜電極，然后以此電極為基底，采用電化學沉積法分別制備了TiO2-H3PW12O40復(fù)合膜電極和TiO2-H4SiW12O40復(fù)合膜電極，并利用掃描電鏡，四探針測試儀，分光光度計，萬能表對所制備電極的工藝條件和性能進行了研究。 通過對電化學沉積法制備的TiO2-H3PW12O40復(fù)合膜電極和TiO2-H4SiW12O40復(fù)合膜電極結(jié)
3、構(gòu)、形貌和光電性能的分析，總結(jié)出制備TiO2-H3PW12O40復(fù)合膜電極最佳工藝條件為：5.0×10-3mol/L磷鎢酸(H3PW12O40)+5.0×10-3mol/L吡咯(PY)+0.5mol/LH2SO4的混合溶液中于1.4V恒電壓下電沉積60min。制備。TiO2-H4SiW12O40復(fù)合膜電極的最佳工藝條件為：2.5×10-3mol/L硅鎢酸(H3SiW12O40)+5.0×10-3mol/L吡咯(PY)+0.5mol/LH
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