氧化鋁模板輔助生長-維納米線陣列及其電學性質研究.pdf

1、TCNQ(tetracyanoquinodimethane),全名7,7,8,8-四氰基對苯醌二甲烷,是一種良好的有機電子受體,可以與很多電子給體(如TTF,堿金屬或堿金屬鹵化物,過渡金屬,稀土金屬等)形成穩(wěn)定的簡單或復合型電荷轉移配合物。金屬有機配合物M(如Ag,Cu)-TCNQ具有優(yōu)異的光、電、磁特性,其中Cu-TCNQ、Ag-TCNQ具有良好的開關特性,被認為是理想的分子電子學材料。同時,多孔氧化鋁作具有孔洞長徑比大、孔徑小、透明

2、、絕緣等優(yōu)點,是輔助生長納米線陣列的理想模板。
　　 本文在多孔氧化鋁模板中制備生長了M-TCNQ納米線陣列和金屬銅納米線陣列,表征了其形貌和結構,并分析了M-TCNQ納米線陣列的電雙穩(wěn)和場發(fā)射特性,主要內容如下：制備了多孔氧化鋁模板,研究了各項工藝參數(shù)對其形貌、結構的影響。以草酸作為電解液,40V恒壓,5℃條件下,可以得到孔徑在40-50納米的多孔氧化鋁模板。調節(jié)氧化電壓和氧化時間可以改變其孔徑和孔深。在不同的氧化鋁模板中生長

3、了Ag-TCNQ和Cu-TCNQ,表征了其形貌,發(fā)現(xiàn)采用真空蒸汽輸運法在氧化鋁模板中生長M-TCNQ納米線,其填充率達到95％以上。同時XRD測試表明Cu-TCNQ基本上處于電學性能較好的一相(phaseⅠ)。在此基礎之上,制備了基于Cu-TCNQ納米線陣列的原型器件。在對器件的電雙穩(wěn)測試中,其高阻態(tài)和低阻態(tài)電阻比超過104,并且有著良好的重復性。器件結構很適合于工業(yè)生產(chǎn),有希望作為高密度存儲器件。對沒有模板限制的Cu-TCNQ納米線進