強(qiáng)磁場下AZ91合金固態(tài)相變行為研究.pdf

1、上海交通大學(xué)博士學(xué)位論文強(qiáng)磁場下AZ91合金固態(tài)相變行為研究姓名：勵志峰申請學(xué)位級別：博士專業(yè)：材料加工工程指導(dǎo)教師：盧晨曾小勤20081101上海交通大學(xué)博士學(xué)位論文摘要致晶界遷移驅(qū)動力對晶界遷移的影響小，但金屬內(nèi)原子擴(kuò)散加快，晶界遷移速度較常規(guī)條件下的速度快。對磁場下鎂合金非連續(xù)析出形核機(jī)制的討論表明，隨靜磁場強(qiáng)度的增強(qiáng)，基于F丁類形核機(jī)制的非連續(xù)析出胞形核率減小。非連續(xù)析出胞在靜磁場下以FC類形核機(jī)制形成時，移動晶界克服晶界上析出

2、物拖曳而弓出形成非連續(xù)析出胞的條件為：一堂生坐一2：—2si—n0吒，一y，L靜磁場強(qiáng)度較弱時，合金中原子擴(kuò)散減慢起主導(dǎo)作用，基于FC類形核機(jī)制的非連續(xù)析出胞形核率減小。靜磁場增強(qiáng)時，不同取向晶粒問的磁化功差(甜贏)增大，基于FC類形核機(jī)制的非連續(xù)析出胞形核率回升。交變磁場磁場強(qiáng)度小，不同取向晶粒間的磁化能差小，但交變磁場下原子擴(kuò)散及晶界遷移均加快，基于Pr機(jī)制及FC機(jī)制的非連續(xù)析出胞形核率均增大。對MgAI二元擴(kuò)散偶界面中間相層生長動

3、力學(xué)的研究表明，靜磁場、交變磁場下MgAI二元擴(kuò)散偶在熱處理后形成的界面中間相層結(jié)構(gòu)與常規(guī)條件下形成的中間相層結(jié)構(gòu)相同，均為Mgl7AIl2及A13M92界面中間相層。不同熱處理條件下界面中間相層的生長都符合拋物線規(guī)律。與常規(guī)條件下的情況相比，施加靜磁場或交變磁場對界面中間相層的生長激活能影響小，但靜磁場減小了界面中間相層的生長常數(shù)，使中間相層的生長速度減慢；變磁場下界面中間相層的生長常數(shù)增大，中間相層的生長加快。這證明強(qiáng)靜磁場減慢Mg