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文檔簡介
1、碲化物納米材料因為其優(yōu)良的電學性質、光學性質和熱電性質因而在化學和生物傳感器、場效應晶體管、邏輯電路、光敏傳感器以及高性能熱電器件方面具有廣闊的應用前景從而引起人們的廣泛興趣。納米材料的形貌控制是制作材料的關鍵工序之一,也是目前納米材料研究的基本課題。研究納米微粒形貌的影響因素,同時解釋晶體的生長機理是實現(xiàn)形貌和尺寸控制的一個重要途徑。
本文采用一種低溫常壓、操作簡單、成本低廉、便于工業(yè)化推廣的合成新方法—復合氫氧化物媒介
2、法(composite-hydroxide-mediated,CHM)合成出超細的納米Ag2Te納米線和PbTe納米棒。
用CHM法在180-225℃間合成了單斜晶相碲化銀單晶納米線,樣品純度高。碲化銀納米線直徑大約20-30納米,長度則長達幾百納米,并且可以通過改變生長溫度和生長時間控制樣品尺寸。我們對碲化銀納米線的生長機理進行了分析。通過試驗在升溫過程/降溫過程中在148/133℃附近發(fā)現(xiàn)了碲化銀從單斜晶相到面心立方相
3、的可逆結構相變,并計算了樣品的相變潛熱。對樣品電阻和溫差電動勢隨溫度變化進行了分析,發(fā)現(xiàn)樣品電阻和塞貝克系數(shù)在結構相變附件溫度發(fā)生急劇變化。升溫和降溫過程中最大塞貝克系數(shù)值分別為170μV/K和160μV/K左右,顯示了其在一維納米熱電材料中的廣闊應用前景。
在沒有任何表面活性劑的條件下用CHM方法合成了碲化鉛納米棒。通過試驗表明碲化鉛為面心立方結構。碲化鉛納米棒直徑大概50-120納米,長度則長達200-1000納米,并
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