R80P射頻寬帶功率NiZn鐵氧體材料研究.pdf

1、本文介紹了射頻寬帶高功率NiZn鐵氧體材料在射頻寬帶功率器件中的應(yīng)用及發(fā)展前景。分析了射頻寬帶高功率NiZn鐵氧體材料在高頻高功率應(yīng)用情況下的損耗機(jī)理，并針對損耗機(jī)理制定了降低射頻寬帶高功率NiZn鐵氧體材料高頻損耗的方案。從材料配方和材料生產(chǎn)工藝兩方面研究了影響射頻寬帶高功率NiZn鐵氧體材料傳輸高頻高功率信號效果的因素與材料的高頻損耗特性之間的關(guān)系。討論了如何根據(jù)高頻弱場檢測的材料參數(shù)結(jié)果來評價(jià)材料在高頻高功率應(yīng)用情況下的損耗。研究

2、了應(yīng)用于高頻大功率場合的NiZn鐵氧體功率材料的配方各成分含量和工藝因素對射頻寬帶高功率 NiZn鐵氧體材料的高頻損耗和電磁參數(shù)的影響。采用NiZn缺鐵配方，通過 Co、V、Mn加雜等配方設(shè)計(jì)技術(shù)和高溫預(yù)燒、低溫?zé)Y(jié)、預(yù)保溫等工藝技術(shù)，研制出一種可應(yīng)用于 MHz頻段的高頻大功率 NiZn鐵氧體R80P材料，其性能水平與PHILIPS公司的4F1材料相當(dāng)。R80P材料的實(shí)測參數(shù)結(jié)果如下：電磁參數(shù)測量條件論文指標(biāo)實(shí)測結(jié)果μ i25℃，10K

3、Hz，0.1mT≈8081μ a100℃，25KHz，200mT≈300449.5 B25℃，10KHz，250A/m100℃，10KHz，250A/m≥50mT≥100mT68.157 mT102.56 mT Pv100℃，3MHz，10mT≤200mW/cm3203.65mW/cm3總結(jié)了降低射頻寬帶高功率NiZn鐵氧體材料高頻損耗的方法，結(jié)論如下：
　　1.研制射頻寬帶高功率 NiZn鐵氧體材料，采用NiZn缺鐵配方，有助于

4、降低材料的高頻損耗。
　　2.在配方中加入適量Co2O3、V2O5可降低材料的高頻損耗。
　　3.上述因素對材料綜合性能產(chǎn)生的影響不一致，應(yīng)尋求各組分的最佳含量，確保材料的綜合性能達(dá)到最優(yōu)。
　　4.采用適當(dāng)延長球磨時(shí)間、高溫預(yù)燒、低溫?zé)Y(jié)、預(yù)保溫等工藝手段可降低材料的高頻損耗。
　　5.雖然高頻 Q值和高頻功耗密度的測量磁場不同，但兩者之間存在 Q值高則高頻功耗密度低的關(guān)系。高頻功耗密度的測量磁場更接近射頻寬帶