基于可調諧微吸收環(huán)的新型高速聚合物電光調制器的研究.pdf

1、本文的工作是在國家教育部新世紀優(yōu)秀人才支持計劃“基于可調諧微吸收環(huán)的低損耗、低驅動電壓、偏振不敏感的新型高速聚合物電光調制器研究”，(項目編號：NCET-05-0091)的支持下進行的。圍繞微型環(huán)調制器的相關理論和驅動電路作為主要研究內容，獲得以下研究結果： 首先，根據模式耦合理論對各類的波導間的模式耦合進行了理論分析，推導出相應的振幅耦合比、傳輸矩陣以及傳輸功率的相關表達式。 其次，比較了用于高速驅動電路的三種器件ME

2、SFET(金屬-半導體勢壘場效應晶體管)、HEMT(高電子遷移率晶體管)和HBT(異質結雙極晶體管)。給出基于HBT的驅動電路以及改進型的HBT電路的相應形式。結合相應的實驗條件可以直接在微型環(huán)調制器上進行電路加載實驗。 然后，分析了用HBT設計驅動電路的優(yōu)勢：電流驅動能力強，放大的級數減少，電路芯片面積?。籋BT的開啟電壓基本是一個自然常數，均勻性好，這對數字電路的設計是極為有利的，尤其在這類調制器驅動電路中，由于頻繁使用電平

3、移位電路，結開啟電壓的均勻性顯得尤為重要；HBT頻率特性主要由外延層結構決定，對光刻水平要求低；HBT的開啟電壓由外延層決定，與工藝無關，偏差僅幾個毫伏；對驅動電路來說，均勻的開啟電壓可以獲得匹配良好的發(fā)射極耦合邏輯，減小輸出失真；HBT具有更低的輸出電導，HBT、具有更高的跨導； HBT的功率密度高，線性度好；HBT的電流增益高、電流驅動能力強；HBT的噪聲比MESFET和HEMT低。 最后，給出了HBT存在的主要問題：工藝比