微波大功率器件匹配及測試.pdf

1、隨著無線通信和軍事新技術(shù)的發(fā)展，日益要求提高RF的性能，使之在更寬頻帶內(nèi)，具有更高的輸出功率、效率和可靠性。為了不斷滿足各種應(yīng)用需求，人們不斷改進(jìn)微波大功率器件的性能。
　　目前國內(nèi)的自主芯片研發(fā)能力還不足，主要還是以進(jìn)口為主，國內(nèi)LDMOS研發(fā)起步比較晚，僅有少數(shù)高校或研究機(jī)構(gòu)針對LDMOS進(jìn)行理論的研究和器件結(jié)構(gòu)上的調(diào)整，目前只是探索研發(fā)階段，基本沒有產(chǎn)品化生產(chǎn)，尤其是高頻率、大功率輸出的MOS器件，因此，自主開發(fā)RF功率MO

2、SFET具有非常重要的意義。
　　對于LDMOS在現(xiàn)代無線通信中的應(yīng)用中高增益、低失真、高線性度的要求，本文對LDMOS的內(nèi)匹配、器件輸入輸出阻抗測試以及相關(guān)微波功率放大器設(shè)計(jì)進(jìn)行了研究。主要包括以下三個(gè)方面：
　　(1)利用LDMOS器件中鍵合引線在高頻下等效電感配合MOS電容進(jìn)行封裝，對器件進(jìn)行內(nèi)匹配。根據(jù)內(nèi)匹配方法，設(shè)計(jì)T型匹配網(wǎng)絡(luò)，采用EMDS軟件對器件中不同長度、不同拱高、不同直徑以及不同間距的Al-Si合金鍵合線

3、進(jìn)行建模仿真，利用ADS軟件對仿真結(jié)果進(jìn)行參數(shù)提取，將器件端口的輸出阻抗從幾歐姆提高到幾十歐姆，同時(shí)提高器件的增益和輸出功率。
　　(2)LDMOS是在高頻條件下工作的大功率器件，其輸出功率會隨著高頻的變化而變化，器件的相關(guān)參數(shù)測試難度很大，一般的小信號輸出測試所用的單一網(wǎng)絡(luò)分析儀無法滿足要求。本研究利用負(fù)載牽引系統(tǒng)，對器件進(jìn)行在不同的頻點(diǎn)下，不斷調(diào)節(jié)輸入輸出端阻抗找到最大輸出功率的輸入輸出匹配阻抗。
　　(3)對微波器件進(jìn)