基于掃描探針顯微術的納米材料電學性質研究及二維有序陣列制備.pdf

1、該論文基于掃描探針顯微術研究了金納米粒子和鐵電薄膜的電學性質;采用溶劑揮發(fā)法和Langmuir-Blodgett法制備二維有序金納米顆粒陣列.首先采用單寧酸—檸檬酸三鈉還原氯金酸和硼氫化鈉還原氯金酸法分別制備出粒徑在8.5nm和4~6nm的膠體金顆粒.利用電泳法將膠體金顆粒沉積在雙硫醇修飾過的Au(111)表面,在室溫下通過掃描隧道顯微鏡觀察到單個顆粒的庫侖阻塞現(xiàn)象.利用Langmuir-Blodgett方法制備了二維有序排列的金納米顆

2、粒陣列.通過"多步反復推放法"可以有效減少金顆粒之間的間距,但是由于金顆粒之間較強的相互作用,這種方法只能獲得短程有序的二維排列.通過在底液中添加適量的氯化鈉可以有效減少顆粒表面修飾分子干擾作用及顆粒之間的相互作用,從而可在硅片上獲得長程有序的二維金納米顆粒陣列.溶劑揮發(fā)法同樣可以在硅片上形成二維有序排列的金納米顆粒陣列,但其不易控制.用掃描壓電顯微術,觀察了未摻雜和摻La、Eu的PZT的鐵電疇分布,結果表明:在自發(fā)極化下,用溶膠-凝膠

3、法得到的(Pb<,0.93>La<,0.07>)(Ti<,0.6>Zr<,0.4>)O<,3>(PLZT)、Pb(Zr<,0.52>Ti<,0.48>)O<,3>(PZT)、(Pb<,0.95>Eu<,0.05>)(Zr<,0.52>Ti<,0.48>)O<,3>(PEZT)和(Pb<,0.9>Eu<,0.1>)(Zr<,0.52>Ti<,0.48>)O<,3>(PEZT)的表面鐵電疇呈現(xiàn)較大的不同,摻La和摻Eu的樣品均比未摻雜的有較