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文檔簡介
1、難熔金屬硅化物在現(xiàn)代集成電路封裝中具有重要意義。因此,研究難熔金屬與硅之間的界面反應(yīng),以便預(yù)測和控制界面硅化物的形成,不僅具有重要的理論意義,而且有利于指導(dǎo)封裝工藝的制訂。本文結(jié)合國家自然科學(xué)基金項目(NO:50671122),采用CALPHAD技術(shù)對Pt-Si、V-Si、Ag-Pt等相關(guān)體系熱力學(xué)進行研究,并外推計算Pt-V-Si和Ag-Pt-Si這兩個三元體系相關(guān)系。主要研究工作如下: 1.優(yōu)化和計算了Pt-Si和V-Si兩
2、個二元系。其中液相與端際相采用替代溶液模型,V3Si相采用亞點陣模型,其余化合物均采用化學(xué)計量比模型。結(jié)合文獻報道的Pt-V二元系熱力學(xué)數(shù)據(jù),外推計算了Pt-V-Si三元系,和液相面投影圖以及一系列的等溫截面。 2.優(yōu)化和計算了Ag-Pt二元系,其中液相與端際相采用替代溶液模型,所有化合物均為化學(xué)計量比模型。結(jié)合本文優(yōu)化的Pt-Si二元系和文獻報道的Ag-Si二元系的實驗數(shù)據(jù),外推計算了Ag-Pt-Si三元系,和液相面投影圖與一
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