碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體薄膜的異質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)及其結(jié)構(gòu)性質(zhì)分析.pdf_第1頁(yè)
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1、SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料、第三代半導(dǎo)體材料的代表,是制造高溫、高頻、大功率、抗輻照等半導(dǎo)體器件的優(yōu)選材料,又被稱為極端電子學(xué)材料,在微電子學(xué)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景.該論文提出了在藍(lán)寶石上引入一層緩沖層材料形成復(fù)合襯底,采用常壓化學(xué)氣相淀積(APCVD)方法在其上異質(zhì)外延生長(zhǎng)SiC薄膜的技術(shù),分析了CVD法生長(zhǎng)SiC的物理化學(xué)過(guò)程,通過(guò)實(shí)驗(yàn)提出SiC薄膜生長(zhǎng)的工藝條件,并通過(guò)X射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)、光致發(fā)光譜

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