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文檔簡介
1、隨著集成電路器件特征尺寸的不斷減小,微納電子材料的力學性能越來越顯著地對器件乃至整個電路的可靠性產生重要影響。因此需要一種行之有效的評價方法來表征這些材料在納米尺度上的力學性能。本文采用納米壓入實驗的方法,分別對集成電路工藝中常用的二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和銅互連布線中常用的Cu/Ta/SiO2/Si結構的多層薄膜進行了研究。使用納米硬度儀分別測量了這三種樣品的硬度和彈性模量,并對硬度和彈性模量與壓入深度、載荷的關系作了分析,討論了材料
2、在壓入過程中的納米力學行為與材料性能間的關系。此外,對Cu/Ta/SiO2/Si多層薄膜樣品,還利用FIB加工了殘留壓痕的剖面樣品,進行了TEM觀察和EDX能譜分析,觀察到了Ta/SiO2界面在載荷作用下的分層現(xiàn)象,并討論了引起這一現(xiàn)象的可能原因。
通過對二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和Cu/Ta/SiO2/Si多層薄膜的研究,評估了納米壓入實驗方法作為集成電路制造過程中的在線監(jiān)測手段的可行性,測試結果在集成電路結構中常見的硬膜
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