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文檔簡介
1、該論文圍繞摻雜聚合物光纖材料和聚合物光纖放大器,主要進行了以下研究工作:1對Eu(DBM)<,3>Phen摻雜聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材料,通過熒光光譜,近場光學掃描顯微鏡和亞穩(wěn)態(tài)壽命結(jié)果分析表明,材料中Eu<'3+>離子的微觀環(huán)境沒有隨濃度增加發(fā)生明顯改變,在高濃度的摻雜樣品中未發(fā)現(xiàn)導致熒光淬滅的稀土離子聚集體或團簇存在,這些現(xiàn)象可歸因于螯合物Eu(DBM)<,3>Phen的分子結(jié)構(gòu).根據(jù)發(fā)射光譜,采用Judd-Ofelt理論對E
2、u(DBM)<,3>Phen摻雜PMMA材料的輻射特性進行了預測,結(jié)果表明Eu<'3+>離子的<'5>D0→<'->F<,2>躍遷有可能作為激光躍遷用于聚合物光纖放大器.2使用Ar<'+>子激光器在457.9nm處泵清Eu(DBM)<,3>Phen摻雜的聚合物光纖(稀土離子摻雜濃度4000ppm-wt),觀察到放大的自發(fā)輻射現(xiàn)象(ASE).對于50cm長的摻雜聚合物光纖,ASE泵浦的閾值功率為120mW.對光纖長度的考察表明,50cm是
3、獲得最大ASE輸出的最佳長度,其量子轉(zhuǎn)換效率約40%.使用YAG激光器在355nm處對長度為30cm,摻雜濃度4000ppm-wt的摻雜聚合物光纖泵浦,并用613nm波長的光作為信號光,當輸入的信號光功率為0.2W,泵浦的能量密度為3.02 mJ/mm<'2>時,得到的信號增益為5.7dB.對Eu(DBM)<,3>Phen摻雜的聚合物光纖放大器的數(shù)值模擬結(jié)果表明:在100mW的泵浦功率下,Eu(DBM)<,3>Phen摻雜階躍型聚合物光
4、纖的長度為80cm時,可獲得最大為11dB的增益.3考察了三種第二配體Sm螯合物的發(fā)光情況,發(fā)現(xiàn)當TPPO作為第二配體時,對于發(fā)光的增強更加顯著.選用Sm(DBM)<,3>(TPPO)<,2>作為發(fā)光介質(zhì)摻入PMMA,利用吸收光譜和發(fā)射光譜對其輻射持性進行了預測,結(jié)果表明Sm(DBM)<,3>(TPPO)<,2>摻雜的PMMA可用于制備稀土摻雜聚合物光纖放大器.4對于摻雜濃度為5ppm-wt的Rodamine B摻雜階躍型聚合物光纖,當
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