InGaAs-InPPIN光探測器的激光微細(xì)加工制作.pdf

1、摘要用激光誘導(dǎo)擴散和激光輔助合金的方法，制成InGaAsInP探側(cè)器，響應(yīng)度達(dá)到0.21AIW.據(jù)我們所知，國內(nèi)還未見關(guān)于用激光徽細(xì)加工技術(shù)制作1一1.55ELmPIN叁叁魚蘭的報道。本文介紹了激光微細(xì)加工中眼光區(qū)溫度的不接觸鍘t、激光誘導(dǎo)擴散、激光輔助合金，以及用傲光徽細(xì)加工的方法制作光探測器的基本工藝，并且側(cè)試了光探側(cè)器的一些性能參數(shù)。關(guān)健詞激光徽細(xì)加工半導(dǎo)體化合物InG&AsInPPIN光探側(cè)器AbstractTheInGaAsl

2、1nPdetectorswithresponsivityof0.21AIWwerefabricatedusinglaserinduceddifusionandlaserassistedalloying.Toourknowledgethisisthefirstreportaboutfabricationof1.3一1.55duxdetectorusinglaserassistedmicropsocessinginChina.Remotes

3、ensingofthetemperatureoftheexposedro茸o(hù)ninlaserassistedmicroprocessinglaserinduceddifusion，】~assistedalloyingandfabricationofdetectorsusinglasermicroprocessingtechnologiesdescribedthensomeperformanceparametersofthedetecto

4、rshavebenwordsLaserassistedmicroprocessingSemiconductorcompoun氏InGaAsllnPdetector在后一步制作光器件時能使集成電路部分處于低溫狀態(tài)，不對集成電路部分產(chǎn)生熱沖擊，就可以有效的解決OEIC中光、電器件的工藝不相容這一難題。激光微細(xì)加工中的激光誘導(dǎo)擴散、激光輔助合金工藝，具有“低溫處理”(lowtemperatureping)和“直接寫入”(directwriti

5、ng)等獨特優(yōu)點，使合金、擴散工藝中基片的受熱高度定域，除擴散、合金區(qū)外，垂片的其他區(qū)域始終處于相對“低溫”狀態(tài)，也就不會受到熱沖擊。所以，如果在基片上先做成集成電路，再在同一基片上用激光徽細(xì)加工技術(shù)制作光探測器，則集成電路部分的性能不會在光器件的制作過程中受到負(fù)面影響。因此，應(yīng)用本文介紹的光器件橄光徽細(xì)加工制作工藝，很容易同時兼顧OEIC中集成電路和光器件兩者對工藝的不同要求，使二者的性能都最優(yōu)化，對提高OEIC的總體性能水平有重要意

6、義。國外將激光微細(xì)加工工藝運用于硅荃片集成電路制作的報道很多，美國的Bell實驗室、林肯實臉室、日本的NEC等都在這方面開展了廣泛的研究，但考慮到電光、聲光以及光輻射等方面的特性，GaAsInP等化合物半導(dǎo)體才是OEIC更為理想的基底材料。尤其是Inp，眾所周知，1.31.55Em是光纖通信系統(tǒng)中的最低損耗和低色散區(qū)域，而用lap垂材料做成的異質(zhì)結(jié)器件，其波長(理論上為。.92pm1.68pm)正好班蓋了這一范圍‘。所以，Inp是光纖通