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1、華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文多層片式PTCR材料配比與還原再氧化工藝研究姓名:張波申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師:傅邱云20110119華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文IIAbstractWiththedevelopmentofsurfacemountedtechnology(SMT)thePTCRthermistbecomesminiaturizationintegration.Indertomeet
2、therequirementofreductionreoxidationprocessfmultilayerchipPTCRthermistthispaperhavestudiedtheeffectsofsinteringtemperatureinreducingatmospherereoxidationtemperatureYdopedconcentrationBaTiratioonthepropertiesofPTCRthermis
3、tmaterials.TheBaTiO3powderwaspreparedbysolidphasemethodthegreentapewaspreparedbyganictapecastingtechnology.Bychangingthesinteringtemperatureinreducingatmospherethereoxidationtemperaturetheeffectsongrainsizesresistivities
4、PTCjumpswithstvoltageswerestudied.IntheotherhsindertoobtaingoodperfmanceofPTCRthermisttherolesofYdopedwithdifferentBaTiratioswereinvestigated.Theresultrevealsthatthegrainsizesincreasedwiththeincreaseofsinteringtemperatur
5、einreducingatmosphereintherangefrom1215℃to1295℃.Theeffectsofthesamereoxidationconditioncouldbeweakerwithhighersinteringtemperature.Theresistivitiesofceramicmaterialshadaparabolarelationshipwithreoxidationtemperaturebutth
6、ePTCjumpsthewithstvoltagesincreasedwiththeincreaseofreoxidationtemperature.InadditiontheresistivitiesofceramicmaterialsincreasedwiththeincreaseofYdopedconcentrationwhilethePTCjumpdecreasedwithit.ThesampleswithBaexcesscou
7、ldobtainbetterperfmancethanthesampleswithTiexcessintheprocessofreductionreoxidation.Finallythebestsinteringtemperaturesweresetintherangefrom1215℃to1250℃thebestreoxidationtemperaturesweresetintherangefrom800℃to850℃.Thesam
8、plewithBaTi=1.010.4mol%Ydopedsinteredat1230℃inreducingatmospherereoxidationat850℃hadtheaveragegrainsizeof1.1μmtheresistivityof256.7?cmthePTCjumpof218.Keywds:PTCRreductionreoxidationsinteringtemperaturereoxidationtemperat
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