Ka波段單平衡混頻器單片設(shè)計(jì).pdf

1、單片微波集成電路的英文縮寫(xiě)為 MMIC，與混合集成電路相比，它具有更小的體積、更高的穩(wěn)定性和更小的寄生參量。在大批量生產(chǎn)時(shí)具有高度一致性和低成本等特點(diǎn)，因此成為現(xiàn)代軍事電子和民用信息通信系統(tǒng)中備受矚目的新興領(lǐng)域。毫米波下變頻混頻器是毫米波接收機(jī)系統(tǒng)的重要部件之一，它性能的好壞對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的性能有著重大影響。本文的研究設(shè)計(jì)工作主要是基于MMIC技術(shù)，設(shè)計(jì)了Ka波段的單平衡混頻器單片，它具有寬帶寬、小駐波、高隔離度、低變頻損耗等特點(diǎn)。

2、　　本文首先對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進(jìn)行了敘述，簡(jiǎn)單介紹了國(guó)內(nèi)外的發(fā)展動(dòng)態(tài)以及我國(guó)現(xiàn)階段與發(fā)達(dá)國(guó)家相比的主要不足。之后對(duì)pHEMT器件做混頻器的工作機(jī)理及方式做了簡(jiǎn)單闡述，分析了對(duì)器件選取及偏置選取對(duì)混頻特性的影響，最后提出了設(shè)計(jì)指標(biāo)并根據(jù)設(shè)計(jì)指標(biāo)確定了設(shè)計(jì)方案：采用單平衡式混頻器。
　　本文設(shè)計(jì)的單平衡混頻器采用0.15μm GaAs低噪聲放大器pHEMT工藝制作，30GHz-40 GHz取得了良好的性能：變頻損耗小于-3dB，本振-