光子晶體光纖機(jī)械特性及其干涉?zhèn)鞲刑匦匝芯?pdf

1、本文對(duì)全內(nèi)反射型光子晶體光纖機(jī)械特性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，研究發(fā)現(xiàn)，全內(nèi)反射型光子晶體光纖的橫向負(fù)荷、扭曲、彎曲特性與普通單模光纖有很多相似的地方。PCF的包層有效折射率n會(huì)隨外界應(yīng)力的變化有規(guī)律的變化，在橫向負(fù)荷實(shí)驗(yàn)中表現(xiàn)為干涉條紋的相位與所加負(fù)載的變化呈近似線性的關(guān)系，其幅值隨著所加負(fù)載的變化呈近似正弦的關(guān)系；在扭曲特性實(shí)驗(yàn)中表現(xiàn)為，干涉條紋的相位與扭轉(zhuǎn)角度呈近似線性的關(guān)系。全內(nèi)反射型光子晶體光纖微彎特性實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在不同的變形齒齒距下

2、，TIR-PCF的微彎損耗靈敏度與普通單模、多模光纖變化規(guī)律一致，都是變形齒間距越小靈敏度越高，變形齒間距越大靈敏度越低。但由于光子晶體光纖與跳線熔接時(shí)的損耗較大，光強(qiáng)損耗的絕對(duì)變化量普通單模、多模光纖要小。在相同變形齒齒距下，光子晶體光纖的微彎損耗靈敏度最高，微彎損耗靈敏度最低的是多模光纖，單模光纖的微彎損耗靈敏度略低于光子晶體光纖。 研究還發(fā)現(xiàn)，在恰當(dāng)?shù)娜劢訁?shù)下，光子晶體光纖和普通單模光纖的電弧熔接損耗可以小于1dB。在-

3、20℃～100℃范圍內(nèi)，基于全內(nèi)反射型光子晶體光纖的單邊熔接的琺珀傳感器溫度系數(shù)(琺珀腔腔長(zhǎng)隨溫度的變化系數(shù))為7.24nm/℃，具有較好的線性度；基于光子帶隙型光子晶體光纖的雙邊熔接的琺珀傳感器溫度系數(shù)(琺珀腔腔長(zhǎng)隨溫度的變化系數(shù))為13nm/℃，且在0～1000με內(nèi)，傳感器的腔長(zhǎng)隨應(yīng)變成線性變化，線性度為0.9858?；谌珒?nèi)反射型光子晶體光纖的飛秒激光加工的微型琺珀傳感器溫度系數(shù)(干涉條紋極大值隨溫度的變化系數(shù))為負(fù)，值為-0.