晶體硅太陽能組件功率損失研究.pdf

1、本文以“提高組件的功率”為研究方向,進(jìn)行了以下幾方面的研究:
　　1、太陽能組件功率的研究
　　研究了電池片封裝成組件后的功率損耗,得出以下結(jié)論:
　　(1)、提高組件光學(xué)增益的有效方法是使用高透光率的鋼化玻璃和用藍(lán)光響應(yīng)好的電池,同時(shí)匹配藍(lán)光透過率高的EVA和反射率高的背板;
　　(2)、焊帶電阻的功率損失占組件電學(xué)損失的比例高達(dá)80％,因此降低組件電學(xué)損失的有效方法是降低焊帶電阻;
　　(3)、焊帶與電

2、池接觸電阻的功率損失很小,一般在1%以下,通常不用考慮;
　　(4)、在相同的電池轉(zhuǎn)換效率下,降低電池片的串聯(lián)電阻,可以降低組件最大功率點(diǎn)的電流,降低串聯(lián)電阻的功率損耗,提高組件的輸出功率。
　　2、太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率的研究
　　著重研究了串聯(lián)電阻對(duì)電池片轉(zhuǎn)換效率的影響,得到以下結(jié)論:
　　(1)、電池片的串阻與轉(zhuǎn)換效率是反向關(guān)系,串阻越小轉(zhuǎn)換效率越高;
　　(2)、電池片的串阻與溫度呈正向關(guān)系,其測(cè)量值

3、與I、V取值點(diǎn)有關(guān);
　　(3)、電池片串阻的各組成部分中,體電阻、表面薄層電阻、主柵線電阻和細(xì)柵電阻都可以精確計(jì)算,但接觸電阻采用傳統(tǒng)的TLM法測(cè)量存在誤差。
　　3、電池片接觸電阻測(cè)試方法的研究。
　　通過建立金屬-半導(dǎo)體界面的電壓、電流方程推導(dǎo)出不同電流模式下三種接觸電阻的表達(dá)式,在傳統(tǒng)的TLM法的基礎(chǔ)上提出三種新的測(cè)量方法:DSTLM測(cè)試法、SSTLM測(cè)試法和改進(jìn)ER測(cè)量法,得到以下結(jié)論:
　　(1)任意

4、一個(gè)接觸電阻表達(dá)式可以由的其它兩個(gè)接觸電阻簡(jiǎn)單計(jì)算,不用去計(jì)算比接觸電阻率和接觸界面的薄層方塊電阻。
　　(2)DSTLM法測(cè)試精確高,但需要制作專門的測(cè)試圖形,不方便在太陽能電池上運(yùn)用;
　　(3)SSTLM測(cè)試法不需制作專門的測(cè)試圖形,擴(kuò)散時(shí)準(zhǔn)確測(cè)出表面薄層電阻就可以直接測(cè)試接觸電阻,方便在太陽能電池上運(yùn)用。
　　(4)改進(jìn)后的ER測(cè)量法,突破了平行電極只能是3條的限制,擴(kuò)展了端電阻法的測(cè)試電極的數(shù)量。