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文檔簡介
1、TiO2是一種重要的半導(dǎo)體光催化材料,它能在太陽光下降解各種污染物,同時其具有成本低、無毒性、不產(chǎn)生二次污染等優(yōu)點,受到各國研究人員的關(guān)注。然而TiO2也存在寬帶禁度較大、光源利用率低、載流子復(fù)合率高等缺陷。通過研究發(fā)現(xiàn),離子摻雜改性是克服這些缺陷,提高TiO2光催化活性的一種重要手段。
針對以上背景問題,本文擬通過單一金屬離子摻雜和多種金屬離子共摻雜的方法對TiO2進(jìn)行優(yōu)化改性,以提高TiO2在紫外光下的光催化效率。并用XR
2、D、SEM、FT-IR、以及N2吸附-脫附等手段對光催化劑進(jìn)行了表征,同時考察了其在紫外光輻照下降解甲基橙的能力。主要實驗研究分為以下四個部分。
1.以鈦酸四丁酯為鈦源,硝酸銦為銦源,采用溶膠-凝膠法合成了In摻雜TiO2(In-TiO2)材料。結(jié)果表明,所制材料在不同In摻雜濃度和煅燒溫度下均為銳鈦礦相,In3+以同晶取代方式占據(jù)TiO2中Ti4+的位置,形成InxTi1-xO2,提高了光生載流子產(chǎn)率。適量的In3+摻雜抑制
3、了二氧化鈦晶粒的生長,使材料的平均孔徑減小,比表面積增大。隨著煅燒溫度的升高,二氧化鈦晶粒逐漸增大,比表面積逐漸減小。400℃煅燒制得的3%In-TiO2的具有最大的比表面積(94.4m2/g)。紫外光降解甲基橙實驗表明,400℃煅燒制得的3%In-TiO2具有最強的光催化能力,光照70min可使甲基橙完全降解;而在同等條件下,純TiO2對甲基橙的降解率僅為62.3%。
2.以CTAB為模板導(dǎo)向劑,考察不同CTAB濃度及煅燒溫
4、度對3%In-TiO2光催化劑結(jié)構(gòu)和活性的影響。結(jié)果表明,CTAB的加入促進(jìn)了In-TiO2的結(jié)晶和顆粒的均勻分散,增大了二氧化鈦顆粒粒徑和比表面積,并造成了TiO2晶格膨脹。適當(dāng)?shù)撵褵郎囟饶軌蛉コ砻婊钚詣?,并保持一定的比表面積。紫外光照60min后,500℃制備的,CTAB濃度為0.12mol/L的In-TiO2光催化劑對甲基橙的光催化率達(dá)到91.8%。比表面積和晶格膨脹是光催化劑活性的主要影響因素。
3.以鈦酸四丁酯為鈦
5、源,硝酸銦為銦源,氯化鋁為鋁源,采用溶膠-凝膠法首次合成了In-Al-TiO2復(fù)合材料。結(jié)果表明,所制材料在不同Al濃度摻雜和煅燒溫度下均為銳鈦礦相,適量Al摻雜抑制了二氧化鈦晶粒的生長,增加了樣品的比表面積。隨著煅燒溫度的升高,樣品晶粒和平均孔徑逐漸增大,比表面積逐漸減小,400℃煅燒制得的0.5%A1-3%In-TiO2的具有最大的比表面積(108.9m2/g)。一部分Al3+以取代式摻雜進(jìn)入TiO2晶格,造成TiO2晶格缺陷,增加
6、了材料表面羥基數(shù)量,抑制了光生載流子的復(fù)合。紫外光降解甲基橙實驗表明,400℃煅燒制得的0.5%A1-3%In-TiO2具有最強的光催化能力,光照40min可使10mg/L的甲基橙溶液完全脫色。
4.以鈦酸四丁酯為鈦源,硝酸銦為銦源,氯化鑭為鑭源,采用溶膠-凝膠法首次合成了La-In-TiO2復(fù)合材料。結(jié)果表明,所制材料在不同La3+濃度摻雜和煅燒溫度下均為銳鈦礦相,La3+以取代式摻雜進(jìn)入TiO2晶格,造成TiO2晶格缺陷,
7、促進(jìn)了光生載流子的分離。適量的La摻雜減小了二氧化鈦晶粒尺寸,造成了材料比表面積的增大。隨著煅燒溫度的升高,TiO2晶粒逐漸增大,顆粒硬團聚加劇,比表面積逐漸減小,400℃煅燒制得的0.3%La-3%In-TiO2的比表面積為129.8m2/g。紫外光降解甲基橙實驗表明,400℃煅燒制得的0.3%La-3%In-TiO2具有最強的光催化能力,光照40min可使10mg/L甲基橙溶液完全脫色。UV-Vis圖譜表明,La3+摻雜改變了甲基橙
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