納米粒子排布及其構筑納米電子器件的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文采用化學方法制備出粒徑約10nm的Au納米粒子,并用三種不同鏈長的烷基硫醇對其進行修飾,制備出Au納米粒子的氯仿和甲苯溶液.測定了溶液的電導率隨納米粒子濃度增加時的變化規(guī)律,發(fā)現(xiàn)在本文測試濃度范圍內均存在一個臨界濃度值.當?shù)陀谂R界濃度值時,溶液的電導率隨溶質濃度的增加而迅速增加;而當溶液濃度超過臨界濃度值時,溶液電導率的增加緩慢.在整個濃度范圍內,當Au納米粒子分別被十二、十四和十六烷基硫醇修飾時,臨界濃度值分別約為11.22g/

2、L、7.96g/L和5.47g/L.在相同濃度下,Au納米粒子外面烷基硫醇的鏈長越短,其溶液的電導率越大.通過納米粒子排布技術將Au納米粒子整齊排列在電極之間,得到單電子原型器件.測試樣品室溫下的Ⅰ-Ⅴ曲線,發(fā)現(xiàn)有庫侖臺階出現(xiàn).對于用電弧法制備的宏觀納米碳管束,分別用紅外光源、冷光光源和正常日光光照,測試了它們對不同光源的敏感性,以及隨溫度變化電阻值的變化規(guī)律.結果表明,本文制備的宏觀納米碳管束對紅外光源光照的敏感度高于冷光光源;隨冷光

3、光照時間的延長,納米碳管束的電阻值接近線性減小,即其導電性能增強.當溫度從室溫升高至100℃時,宏觀納米碳管束的電阻值隨溫度的升高而減小,說明本文制備的宏觀納米碳管束具有半導體性.計算結果顯示,本章所用宏觀納米碳管束的激活能在9.502~40.972KJ/mol范圍內.本論文還采用分子動力學的方法計算了在電場作用下二粒子體系中粒子的受力情況.計算結果與文獻中的結果一致;而且在二粒子體系中,當接觸角在0-90°范圍內粒子在電場作用下會主動

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