基于非線性光學(xué)晶體差頻產(chǎn)生太赫茲輻射的研究.pdf

1、太赫茲技術(shù)是目前世界范圍內(nèi)研究較為活躍的領(lǐng)域，其在生物醫(yī)學(xué)、安全檢查、空間通訊以及武器制導(dǎo)等應(yīng)用領(lǐng)域具有十分重要的發(fā)展?jié)摿蛷V泛的應(yīng)用前景。而太赫茲輻射源的研究是太赫茲技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，其中非線性光學(xué)方法具有諸多優(yōu)良的特點(diǎn)，它零閾值、輸出線寬窄、結(jié)構(gòu)緊湊并且能夠室溫運(yùn)轉(zhuǎn)，是太赫茲輻射源的重要發(fā)展方向，其泵浦激光源與非線性差頻晶體的研究是其研究的重點(diǎn)。本文文根據(jù)對(duì)差頻的理論推導(dǎo)，分析影響差頻轉(zhuǎn)化效率的各個(gè)因素以及幾種重要的非線性差頻晶體的差

2、頻特性，并主要針對(duì)GaP晶體做了共線相位匹配方式的研究，為小型化便攜式的太赫茲輻射源的實(shí)現(xiàn)提供了理論依據(jù)。
　　本論文主要內(nèi)容包括：
　?。?）理論分析了三波之間相互作用的波動(dòng)方程以及差頻功率表達(dá)式，分析了影響差頻轉(zhuǎn)化效率的的主要因素，總結(jié)了各種相位匹配方式以及它們各自的優(yōu)缺點(diǎn)和適用的晶體類型。
　?。?）計(jì)算分析了GaP、GaAs、InP、ZnTe以及CdTe晶體的共線相位匹配特性以及InP、CdTe和ZnTe晶體在

3、10.6μm附近的非共線相位匹配特性，并分別計(jì)算了CdSe晶體在10.6μm和1.064μm附近的不同相位匹配方式下的差頻特性。
　?。?）著重分析了GaP晶體在非線性差頻產(chǎn)生太赫茲輻射方面的各種特性，理論計(jì)算了GaP晶體的差頻有效非線性系數(shù)與晶體切割角度、入射光偏振方向以及波矢方向的關(guān)系，主要針對(duì)雙波長(zhǎng)光纖激光器輸出的1030nm和1035nm的泵浦光進(jìn)行了差頻的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，給出了溫度調(diào)諧方案以及晶體切割方案，為高效的小型化太赫茲