銀-聚酰亞胺納米介電復合材料的制備與性能研究.pdf

1、電子封裝技術的發(fā)展對嵌入式電容器材料不斷提出新的要求。當前，高性能嵌入式電容器迫切需要擁有高介電常數(shù)、低介電損耗、與電路基板具有良好的粘結力以及良好加工性等綜合性能的介電材料。然而，目前沒有任何材料能夠全部滿足這些要求。導體/高聚物復合材料被認為有可能是一種理想的選擇，因為它在填料體積分數(shù)很低的情況下也可能在滲流閾值附近獲得突增的介電常數(shù)。銀納米粒子具有優(yōu)異的導電率和奇特的納米特性（即庫侖阻塞效應），是制備金屬/高聚物高介電復合材料的理

2、想填料。聚酰亞胺(PI)作為高聚物基體則具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、低介電損耗和易合成加工性等優(yōu)點。Ag/PI納米復合材料可望將銀納米粒子的介電性能與PI的力學、熱學性能很好的結合起來。為了獲得高介電性能，需要銀納米粒子非常均勻的分散在PI基體中，然而，由于銀納米粒子的易遷移、易團聚和高催化活性等特性，這是非常困難的。因此，探索制備Ag/PI納米復合材料的新方法是很有必要的。
　　 本論文主要包含兩部分工作:在聚酰胺酸(PAA)溶液中原

3、位制備銀納米粒子以及隨后的用化學亞胺化方法原位制備Ag/PI復合顆粒。在合成銀納米粒子時，紫外-可見吸收光譜實時檢測溶液中納米粒子的等離子體共振吸收情況，并重點分析銀晶生長動力學機制，發(fā)現(xiàn)其呈三維異相成核和擴散控制型生長，并伴隨有軟碰撞效應。TEM，XRD，F(xiàn)T-IR表征證實，所制備的銀納米粒子，以及原料和操作簡單、反應條件溫和的制備方法，適合大規(guī)模生產和進一步對銀納米粒子的改性，從而可以為后續(xù)Ag/PI納米復合材料的制備奠定很好的基礎

4、。在第二部分，以前面制備出來的Ag/PAA納米復合溶液為基礎，借助于PAA與銀納米粒子的相互作用以及PAA的線團構象，采用低溫化學亞胺化使PAA亞胺化，得到PI原位包覆的銀納米粒子。對其形貌、晶態(tài)以及各種性能的表征顯示，銀納米粒子在低溫化學亞胺化過程中不會發(fā)生明顯的團聚，化學亞胺化后，銀納米粒子能夠均勻的分散和分布在基體中，并且在PI的包覆下非常穩(wěn)定，即使一定的高溫熱處理(250℃1h)也不致其發(fā)生顯著的遷移和團聚。本實驗是第一次嘗試采