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文檔簡介
1、單片式開關(guān)電源有高效率、高性能、高集成度、體積小、重量輕等特點,已經(jīng)成為開關(guān)電源設(shè)備的首選設(shè)計方案,具有重要的研究意義和廣闊的市場前景。
本文對芯片的電路原理進(jìn)行仔細(xì)的分析,用仿真工具 HSPICE對電路進(jìn)行仿真并給出相應(yīng)的仿真結(jié)果,以驗證電路的正確性和可行性。最終電路子模塊的仿真結(jié)果都達(dá)到預(yù)定要求。
本芯片電路采用脈沖寬度調(diào)制(PWM)和脈沖跨周期調(diào)制(PSM)相結(jié)合的調(diào)制模式,整體控制回路采用電流控制模式,內(nèi)部集
2、成耐壓為700V功率器件LDMOS,工作頻率為132KHz,最大工作電流為250mA。芯片的工作溫度范圍較寬,內(nèi)部包含過流、過熱等保護(hù)電路;內(nèi)有動態(tài)自供電系統(tǒng),通過外接電容為芯片內(nèi)部的低壓電路提供工作電源;采用的脈沖跨周期調(diào)制不需要回路補(bǔ)償,提高了工作效率。該電路在單晶硅上采用高壓低壓兼容的工藝進(jìn)行仿真設(shè)計,并將高壓功率器件和低壓控制電路集成在同一芯片。
作者重點論述了該單片式開關(guān)電源芯片中的基準(zhǔn)源電路、電流極限比較器電路、電
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