高體積分?jǐn)?shù)SiC顆粒增強(qiáng)鋁基電子封裝復(fù)合材料的制備工藝及組織性能研究.pdf

1、高體積分?jǐn)?shù)SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料具有低熱膨脹系數(shù)、高熱導(dǎo)率、低密度等優(yōu)異性能，在電子封裝用領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。為了能夠使Al/SiC復(fù)合材料更好地與電子元件相匹配，其制備工藝成為目前該領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。本論文以電子封裝為背景，全面剖析了高體積分?jǐn)?shù)SiC顆粒增強(qiáng)鋁基電子封裝用復(fù)合材料的制備工藝。
　　通過(guò)對(duì)文獻(xiàn)中多種工藝的分析，綜合判斷認(rèn)為若不計(jì)成本，擠壓鑄造、攪拌鑄造及無(wú)壓浸滲均可作為Al/SiC復(fù)合材料工業(yè)化生產(chǎn)的制備工藝，但綜

2、合工藝成本，無(wú)壓浸滲工藝為制備符合電子封裝用材料性能指標(biāo)要求的高體積分?jǐn)?shù)Al/SiC復(fù)合材料的最佳工藝，但仍需改進(jìn)。并結(jié)合文獻(xiàn)中對(duì)所研究材料的微觀組織形態(tài)和低膨脹系數(shù)、高熱導(dǎo)率、高強(qiáng)度等性能要求，認(rèn)為后續(xù)研發(fā)生產(chǎn)該合金時(shí)應(yīng)將其微觀組織形態(tài)控制為SiC大小分布均勻、無(wú)團(tuán)聚及孔洞等缺陷以及基體與SiC顆粒界面結(jié)合致密。
　　本論文最終通過(guò)掃描電鏡(SEM)、X射線(XRD)和透射電鏡(TEM)三種表征手段對(duì)國(guó)際上性能較好的實(shí)際Al/S