變電站內(nèi)智能組件電磁干擾耦合模型的研究.pdf

1、隨著智能電網(wǎng)的逐步發(fā)展，變電站內(nèi)智能組件就地化作為新的發(fā)展方向已逐步啟動(dòng)。近年來已發(fā)生多起因下放到變電站開關(guān)場(chǎng)內(nèi)的智能電子設(shè)備受到干擾而導(dǎo)致智能組件失效的案例。為此，本文以變電站內(nèi)瞬態(tài)電磁干擾對(duì)智能組件的耦合模型為主要研究?jī)?nèi)容。
　　首先，本文研究了雷擊變電站附近桿塔時(shí)，變電站接地網(wǎng)地電位升對(duì)智能組件的耦合模型。結(jié)合實(shí)際變電站接地網(wǎng)，使用ATP-EMTP和CDEGS軟件建立了變電站局部模型和變電站接地網(wǎng)模型，仿真得到雷擊變電站附近

2、桿塔時(shí)，接地網(wǎng)關(guān)心節(jié)點(diǎn)處的地電位升。然后基于多導(dǎo)體傳輸線(MTL)理論，使用時(shí)域頻域(TDFD)變換法建立了二次電纜模型。以地電位升為激勵(lì)源，結(jié)合二次電纜模型，仿真得到智能組件端口的騷擾電壓。其次，本文通過對(duì)GIS設(shè)備的建模，研究了GIS外殼暫態(tài)電位升(TEV)對(duì)智能組件的干擾耦合模型。通過仿真得到了由TEV引起的智能組件端口的騷擾電壓。最后，本文在北開電氣高壓試驗(yàn)大廳進(jìn)行了沖擊測(cè)試，測(cè)量得到智能組件端口的騷擾電壓，并在遼寧省電力公司多