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1、氧化鋅作為一種重要的具有六方結(jié)構(gòu)的Ⅱ-V族寬帶隙(3.3eV)半導(dǎo)體材料,由于具有較高的激子束縛能高(60meV),在室溫下容易獲得強(qiáng)的激子發(fā)射,被認(rèn)為是制作紫外半導(dǎo)體激光器的合適材料.因此,對(duì)氧化鋅材料的研究已成為繼GaN之后,寬帶隙半導(dǎo)體材料在光電子領(lǐng)域中又一個(gè)研究的熱點(diǎn).人們已采用分子束外延技術(shù)獲得了高質(zhì)量的氧化鋅薄膜材料,但其襯底材料一般選擇為Al2O3,而對(duì)在Si襯底上的ZnO薄膜材料的生長(zhǎng)和特性研究的較少.該文主要利用等離子
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