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文檔簡介
1、氧化鋅作為一種重要的具有六方結構的Ⅱ-V族寬帶隙(3.3eV)半導體材料,由于具有較高的激子束縛能高(60meV),在室溫下容易獲得強的激子發(fā)射,被認為是制作紫外半導體激光器的合適材料.因此,對氧化鋅材料的研究已成為繼GaN之后,寬帶隙半導體材料在光電子領域中又一個研究的熱點.人們已采用分子束外延技術獲得了高質量的氧化鋅薄膜材料,但其襯底材料一般選擇為Al2O3,而對在Si襯底上的ZnO薄膜材料的生長和特性研究的較少.該文主要利用等離子
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