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文檔簡介
1、 本文研究了擠壓鑄造法制備的SiCw/LD2復(fù)合材料在壓縮和擠壓變形條件下晶須貧乏區(qū)的形成規(guī)律與機(jī)制。用金相顯微鏡、掃描電鏡(SEM)和熱模擬試驗機(jī),研究了SiCw/LD2復(fù)合材料在液-固兩相區(qū)壓縮和擠壓變形時無晶須區(qū)和少晶須區(qū)的形成規(guī)律,分析了裂紋、應(yīng)力狀態(tài)和孔洞對晶須貧乏區(qū)形成的影響。 論述了SiCw/LD2復(fù)合材料在固相線以上溫度(高于580℃)壓縮變形,復(fù)合材料內(nèi)部出現(xiàn)晶須貧乏區(qū),壓縮溫度提高,晶須貧乏區(qū)數(shù)量增
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