硅基薄膜太陽(yáng)電池穩(wěn)定性研究及光致衰退自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì).pdf

1、提高硅基薄膜太陽(yáng)電池的穩(wěn)定性與提高其初始性能同等重要，已引起了人們的廣泛關(guān)注。穩(wěn)定性問(wèn)題制約著硅基薄膜太陽(yáng)電池的進(jìn)一步發(fā)展。本文主要以微晶硅薄膜太陽(yáng)電池為研究對(duì)象，設(shè)計(jì)并搭建了光致衰退自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)。主要完成了以下工作：
　　 光致衰退自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)由測(cè)試平臺(tái)、測(cè)控電路以及PC機(jī)運(yùn)行的測(cè)試軟件組成。測(cè)試平臺(tái)采用循環(huán)冷卻水和風(fēng)機(jī)共同對(duì)其溫度進(jìn)行控制，保證在光致衰退實(shí)驗(yàn)過(guò)程中溫度基本恒定；用G語(yǔ)言和SCPI(可編程儀器標(biāo)準(zhǔn)命令)在Tes

2、tPoint軟件開(kāi)發(fā)平臺(tái)進(jìn)行了系統(tǒng)界面和測(cè)試程序的開(kāi)發(fā)；用Model2420、Model7001及相應(yīng)的電路通過(guò)IEEE488總線(xiàn)組成測(cè)試電路。
　　 本文制備了n-I-p和p-I-n兩種類(lèi)型的單節(jié)微晶硅薄膜太陽(yáng)電池，其中以不銹鋼為襯底的n-I-p電池樣品具有不同結(jié)構(gòu)的n層，用不同方法制備得到了不同結(jié)構(gòu)p層或I層的p-I-n電池樣品。對(duì)這些電池樣品在A(yíng)M1.5100mW/cm2的光下進(jìn)行光照實(shí)驗(yàn)，對(duì)其衰退工程中的I-V特性參數(shù)進(jìn)

3、行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，分析并比較了光照前后電池樣品的QE及光暗態(tài)J-V特性，對(duì)光致衰退后的電池進(jìn)行退火實(shí)驗(yàn)，比較了電池退火后性能的恢復(fù)程度。本文還考慮了相同光強(qiáng)不同波長(zhǎng)范圍的光照情況，研究了該情況下微晶硅電池穩(wěn)定性，結(jié)果發(fā)現(xiàn)紅光下電池衰退的程度最小，藍(lán)光照射能增強(qiáng)電池的光致衰退。討論了影響微晶硅電池光致衰退的主要原因，并對(duì)結(jié)論作出了相應(yīng)的解釋。
　　 同時(shí)，本文對(duì)n-I-p及p-I-n非晶/微晶疊層電池的光致衰退進(jìn)行了研究，通過(guò)對(duì)比和分析